双栅纳米FinFET的器件物理，模拟模型和电路设计技术研究
结题报告
批准号：
60876027
项目类别：
面上项目
资助金额：
39.0 万元
负责人：
何进
依托单位：
北京大学
学科分类：
F0402.集成电路设计
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
张兴、何燕冬、张立宁、刘峰、陶亚东、韩临
关键词：
器件物理电路CAD双栅纳米FinFET模拟和模型电路设计技术
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中文摘要
2006年ITRS预计:2016年左右以双栅纳米FinFET为代表的非传统CMOS可能代替体硅结构用于亚22nm节点后的集成电路技术代. 如此的技术进步对纳米FinFET的研究提出了巨大挑战: 一是目前还无完整清晰的纳米FinFET器件物理理论； 二是诸多独特物理效应复杂化了电路模拟SPICE模型的建立;三是并不清楚已有的电路设计技术和方法是否适用纳米FinFET的CMOS电路. 基于此, 我们提出"双栅纳米FinFET的器件物理，模拟模型和电路设计技术研究"项目,争取2-3年内在纳米FinFET的器件物理， 模拟模型和相应的电路设计技术上有突破性进展: 建立国际创新性的双栅纳米FinFET载流子器件物理理论；实现FinFET新效应在该理论框架内自洽集成的电路SPICE模型;发展FinFET电路结构的设计验证平台； 研究以FinFET为基本结构单元的新电路拓扑和电路设计新技术。
英文摘要
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Effects of body doping on threshold voltage and channel potential of symmetric DG MOSFETs with continuous solution from accumulation to strong-inversion regions
体掺杂对对称 DG MOSFET 阈值电压和沟道电位的影响（从累积到强反转区连续解）
DOI：10.1088/0268-1242/24/8/085005
发表时间：2009-06
期刊：Semicond. Sci. Technol.
影响因子：--
作者：Mansun Chan;Jin He;Jian Zhang;Feng Liu;Lining Zhang
通讯作者：Lining Zhang
Comparison and improvement of two core compact models for double-gate MOSFETs
双栅MOSFET两种核心紧凑模型的比较与改进
DOI：10.1016/j.sse.2010.06.020
发表时间：2010-11
期刊：Solid-State Electronics
影响因子：1.7
作者：Zhize Zhou;Xing Zhang;Jin He;Jian Zhang;Chenyue Ma;Xingye Zhou;Lining Zhang
通讯作者：Lining Zhang
Analytical solution of subthreshold channel potential of gate underlap cylindrical gate-all-around MOSFET
DOI：10.1016/j.endend.2010.06.030
发表时间：2010-07
期刊：Journal of End-to-end-testing
影响因子：--
作者：Lining Zhang;Chenyue Ma;Jin He;Xinnan Lin;M. Chan
通讯作者：Lining Zhang;Chenyue Ma;Jin He;Xinnan Lin;M. Chan
A continuous, analytic channel potential solution to doped symmetric double-gate MOSFETs from the accumulation to the strong-inversion region
掺杂对称双栅 MOSFET 从累积区到强反转区的连续、解析沟道电位解决方案
DOI：--
发表时间：--
期刊：Chinese Physics B
影响因子：1.7
作者：Zhang Jian;Zhang Lining;He Jin;Liu Feng;Zhou Xingye;Shi Min
通讯作者：Shi Min
A continuous surface-potential solution from accumulation to inversion for intrinsic symmetric double-gate MOSFETs
本征对称双栅 MOSFET 从累积到反转的连续表面电势解决方案
DOI：10.1080/08927020802609454
发表时间：2009-04
期刊：Molecular Simulation
影响因子：2.1
作者：Jin He;Rui Zheng;Mansun Chan;Jian Zhang;Lining Zhang
通讯作者：Lining Zhang
硅沟道纳米DG-TFET器件物理，模拟模型和电路设计技术研究
  • 批准号：
    61574005
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    68.0万元
  • 批准年份：
    2015
  • 负责人：
    何进
  • 依托单位：
    北京大学
硅基芯-壳结构纳米线MOS器件基础研究
  • 批准号：
    61274096
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    82.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    何进
  • 依托单位：
    北京大学
适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究
  • 批准号：
    60976066
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    41.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    何进
  • 依托单位：
    北京大学
用于SOC设计的新一代纳米级CMOS器件仿真模型的研究和验证
  • 批准号：
    90607017
  • 项目类别：
    重大研究计划
  • 资助金额：
    30.0万元
  • 批准年份：
    2006
  • 负责人：
    何进
  • 依托单位：
    北京大学
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