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双栅纳米FinFET的器件物理，模拟模型和电路设计技术研究

批准号：
60876027
项目类别：
面上项目
资助金额：
39.0 万元
负责人：
何进
依托单位：
北京大学
学科分类：
集成电路设计
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
张兴、何燕冬、张立宁、刘峰、陶亚东、韩临
关键词：
器件物理电路CAD双栅纳米FinFET模拟和模型电路设计技术

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中文摘要
2006年ITRS预计:2016年左右以双栅纳米FinFET为代表的非传统CMOS可能代替体硅结构用于亚22nm节点后的集成电路技术代. 如此的技术进步对纳米FinFET的研究提出了巨大挑战: 一是目前还无完整清晰的纳米FinFET器件物理理论； 二是诸多独特物理效应复杂化了电路模拟SPICE模型的建立;三是并不清楚已有的电路设计技术和方法是否适用纳米FinFET的CMOS电路. 基于此, 我们提出"双栅纳米FinFET的器件物理，模拟模型和电路设计技术研究"项目,争取2-3年内在纳米FinFET的器件物理， 模拟模型和相应的电路设计技术上有突破性进展: 建立国际创新性的双栅纳米FinFET载流子器件物理理论；实现FinFET新效应在该理论框架内自洽集成的电路SPICE模型;发展FinFET电路结构的设计验证平台； 研究以FinFET为基本结构单元的新电路拓扑和电路设计新技术。
英文摘要
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Effects of body doping on threshold voltage and channel potential of symmetric DG MOSFETs with continuous solution from accumulation to strong-inversion regions
体掺杂对对称 DG MOSFET 阈值电压和沟道电位的影响（从累积到强反转区连续解）
DOI： 10.1088/0268-1242/24/8/085005
发表时间： 2009-06
期刊： Semicond. Sci. Technol.
影响因子： --
作者： [Mansun Chan, Jin He, Jian Zhang, Feng Liu, Lining Zhang]
通讯作者： Lining Zhang
Comparison and improvement of two core compact models for double-gate MOSFETs
双栅MOSFET两种核心紧凑模型的比较与改进
DOI： 10.1016/j.sse.2010.06.020
发表时间： 2010-11
期刊： Solid-State Electronics
影响因子： 1.7
作者： [Zhize Zhou, Xing Zhang, Jin He, Jian Zhang, Chenyue Ma, Xingye Zhou, Lining Zhang]
通讯作者： Lining Zhang
Analytical solution of subthreshold channel potential of gate underlap cylindrical gate-all-around MOSFET
DOI： 10.1016/j.endend.2010.06.030
发表时间： 2010-07
期刊： Journal of End-to-end-testing
影响因子： --
作者： [Lining Zhang;Chenyue Ma;Jin He;Xinnan Lin;M. Chan]
通讯作者： Lining Zhang;Chenyue Ma;Jin He;Xinnan Lin;M. Chan
A continuous, analytic channel potential solution to doped symmetric double-gate MOSFETs from the accumulation to the strong-inversion region
掺杂对称双栅 MOSFET 从累积区到强反转区的连续、解析沟道电位解决方案
DOI： --
发表时间： --
期刊： Chinese Physics B
影响因子： 1.7
作者： [Zhang Jian, Zhang Lining, He Jin, Liu Feng, Zhou Xingye, Shi Min]
通讯作者： Shi Min
共 21 条
    硅沟道纳米DG-TFET器件物理，模拟模型和电路设计技术研究
    • 批准号：
      61574005
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      68.0万元
    • 批准年份：
      2015
    • 负责人：
      何进
    • 依托单位：
      北京大学
    硅基芯-壳结构纳米线MOS器件基础研究
    • 批准号：
      61274096
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      82.0万元
    • 批准年份：
      2012
    • 负责人：
      何进
    • 依托单位：
      北京大学
    适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究
    • 批准号：
      60976066
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      41.0万元
    • 批准年份：
      2009
    • 负责人：
      何进
    • 依托单位：
      北京大学
    用于SOC设计的新一代纳米级CMOS器件仿真模型的研究和验证
    • 批准号：
      90607017
    • 项目类别：
      重大研究计划
    • 资助金额：
      30.0万元
    • 批准年份：
      2006
    • 负责人：
      何进
    • 依托单位：
      北京大学
    国内基金
    海外基金