用于SOC设计的新一代纳米级CMOS器件仿真模型的研究和验证
批准号：
90607017
项目类别：
重大研究计划
资助金额：
30.0 万元
负责人：
何进
依托单位：
学科分类：
集成电路设计
结题年份：
2008
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
王阳元、张兴、牛旭东、宋岩、张钢刚
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
SOC以纳米级工艺技术和知识产权IP核复用为基础支撑。而器件模型和电路CAD软件是SOC芯片系统设计的工具,是链接纳米工艺技术和知识产权IP核的桥梁。基于此, 我们提出开展"用于SOC设计的新一代纳米级CMOS器件仿真模型的研究和验证"项目, 旨在争取2-3年内在SOC用纳米级CMOS模型的研究和应用上有突破性进展: 建立国际创新性的以物理的表面势解析解和电流方程为基础的模型硬核,发展适用于所有纳
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A Compact Model of Silicon-Based Nanowire MOSFETs for Circuit Simulation and Design
用于电路仿真和设计的硅基纳米线 MOSFET 紧凑模型
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DOI：
10.1109/ted.2008.2005184
发表时间：
2008-11
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1016/j.sse.2005.12.008
发表时间：
2006-02
期刊：
Solid-state Electronics
影响因子：
1.7
作者：
[Jin He;Xing Zhang;Yangyuan Wang]
通讯作者：
Jin He;Xing Zhang;Yangyuan Wang
DOI：
10.1080/08927020701730393
发表时间：
2008-01
期刊：
Molecular Simulation
影响因子：
2.1
作者：
[J. He;W. Bian;Y. Chen;Y. Wei;L. Zhang;J. Zhang;M. Chan]
通讯作者：
J. He;W. Bian;Y. Chen;Y. Wei;L. Zhang;J. Zhang;M. Chan
A carrier-based analytic DCIV model for long channel undoped cylindrical surrounding-gate MOSFETs
基于载流子的长沟道非掺杂圆柱形围栅 MOSFET 解析 DCIV 模型
基于载流子的长沟道非掺杂圆柱形围栅 MOSFET 解析 DCIV 模型
DOI：
10.1016/j.sse.2006.01.015
发表时间：
2006-03
期刊：
Solid-state Electronics
影响因子：
1.7
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1088/0268-1242/23/4/045003
发表时间：
2008-02
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
[Jin He;W. Bian;Yu Chen;Bo Li;Y. Tao;Yiqun Wei]
通讯作者：
Jin He;W. Bian;Yu Chen;Bo Li;Y. Tao;Yiqun Wei
共 26 条
硅沟道纳米DG-TFET器件物理，模拟模型和电路设计技术研究
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批准号：61574005
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项目类别：面上项目
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资助金额：68.0万元
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批准年份：2015
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负责人：何进
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依托单位：
硅基芯-壳结构纳米线MOS器件基础研究
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批准号：61274096
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项目类别：面上项目
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资助金额：82.0万元
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批准年份：2012
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负责人：何进
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依托单位：
适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究
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批准号：60976066
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项目类别：面上项目
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资助金额：41.0万元
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批准年份：2009
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负责人：何进
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依托单位：
双栅纳米FinFET的器件物理，模拟模型和电路设计技术研究
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批准号：60876027
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项目类别：面上项目
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资助金额：39.0万元
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批准年份：2008
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负责人：何进
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依托单位：
国内基金
海外基金