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新型P型掺杂1.3微米InAs/GaAs自组织量子点材料生长及激光器应用相关基础研究

批准号：
60776043
项目类别：
面上项目
资助金额：
7.0 万元
负责人：
杨涛
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
半导体光电子器件与集成
结题年份：
2008
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
曹青、曹玉莲、颜廷静、季海铭、谢金实
关键词：
半导体激光器P型调制掺杂GaAsInAs量子点

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项目成果

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中文摘要
针对我国国民经济发展的战略需求以及国外科学技术发展的前沿，以发展新一代高速光通信系统用低成本、低功耗、高性能长波长半导体激光光源为总目标，开展新型P型掺杂1.3微米InAs/GaAs自组织量子点材料生长及激光器应用相关基础研究，通过对高性能1.3微米InAs/GaAs自组织量子点材料的生长机理与技术、基本物理特性以及基于它们的激光器性能的研究，尤其是引进P型掺杂对量子点材料的生长、基本物理特性以及激光器性能的影响与相关机理的研究，探索新的材料生长机制与技术、新的物理现象以及新的器件原理，为实现高性能的长波长量子点激光器提供必要的物理基础和关键技术，提升我国的自主创新能力和在国际上的竞争能力，为我国的科学技术和光通信事业的发展作贡献。
英文摘要
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Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures
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DOI： --
发表时间： --
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发表时间： --
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  • 批准号：
    62035012
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
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  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    杨涛
  • 依托单位：
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  • 批准年份：
    2020
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    杨涛
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
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  • 资助金额：
    64.0万元
  • 批准年份：
    2015
  • 负责人：
    杨涛
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
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