课题基金 / 基金详情

新型P型掺杂1.3微米InAs/GaAs自组织量子点材料生长及激光器应用相关基础研究

批准号：
60876033
项目类别：
面上项目
资助金额：
40.0 万元
负责人：
杨涛
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
半导体光电子器件与集成
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
曹玉莲、谢金实、季海铭、张宇、徐鹏飞、谷永先
关键词：
半导体激光器P型调制掺杂GaAsInAs量子点

项目摘要

结项摘要

项目成果

杨涛的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
面对我国国民经济发展的战略需求以及国外科学技术发展的最新前沿，以发展新一代高速光通信系统用低成本、低功耗、高性能长波长半导体激光光源为总目标，开展新型P型掺杂1.3微米InAs/GaAs自组织量子点材料生长及激光器应用相关基础研究，通过对1.3微米InAs/GaAs自组织量子点材料的生长机理与技术、基本物理特性以及基于它们的激光器性能的研究，尤其是引进P型调制掺杂对量子点材料的生长、基本物理特性以及激光器性能的影响与相关机理的研究，探索新的材料生长机制与技术、新的物理现象以及新的器件原理，解决一些基本物理问题和关键技术，为实现高性能的长波长量子点激光器提供必要的物理基础和关键技术，提升我国的自主创新能力和在国际上的竞争能力，为我国的科学技术和光通信事业的发展作贡献。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating
通过小面涂层延迟 1310 nm InAs/GaAs 量子点激光器的激发态激光
DOI： 10.1063/1.3418647
发表时间： 2010-04
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [Chen, Liang-Hui, Cao, Yu-Lian, Wang, Qing, Ma, Wen-Quan, Yang, Tao, Wang, Xiao-Dong, Gu, Yong-Xian, Ji, Hai-Ming, Xu, Peng-Fei]
通讯作者： Xu, Peng-Fei
A 10 Gb/s Directly-Modulated 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Laser
10 Gb/s 直接调制 1.3 μ m InAs/GaAs 量子点激光器
DOI： --
发表时间： --
期刊： Chinese Physics Letters
影响因子： 3.5
作者： [Ji Hai-Ming, Xie Liang, Yang Tao, Gu Yong-Xian, Wang Zhan-Guo, Xu Peng-Fei, Cao Yu-Lian, Liu Yu]
通讯作者： Liu Yu
Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design
通过小面涂层设计对 1.3 μm InAs/GaAs 量子点激光器的阈值电流和斜率效率进行温度补偿
DOI： --
发表时间： 2011
期刊： Chinese Physics Letters
影响因子： 3.5
作者： [Xu Peng-Fei, Yang Tao, Ji Hai-Ming, Cao Yu-Lian, Gu Yong-Xian, Wang Zhan-Guo]
通讯作者： Wang Zhan-Guo
Impact of symmetrized and Burt-Foreman Hamiltonians on spurious solutions and energy levels of InAs/GaAs quantum dots
对称哈密顿量和 Burt-Foreman 哈密顿量对 InAs/GaAs 量子点的杂散解和能级的影响
DOI： 10.1088/1674-1056/19/8/088102
发表时间： 2010-08-01
期刊： CHINESE PHYSICS B
影响因子： 1.7
作者： [Gu Yong-Xian, Yang Tao, Wang Zhan-Guo]
通讯作者： Wang Zhan-Guo
共 11 条
    Delta掺杂II型InAs/GaAsSb量子点材料及高效中间能带太阳能电池研究
    CMOS工艺兼容的硅基高性能单模量子点激光器
    • 批准号：
      62035012
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      296万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      杨涛
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    Delta掺杂II型InAs/GaAsSb量子点材料及高效中间能带太阳能电池研究
    • 批准号：
      62074143
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      63.0万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      杨涛
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    InP基2μm波段分布反馈量子阱激光器制备研究
    • 批准号：
      61574139
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      64.0万元
    • 批准年份：
      2015
    • 负责人：
      杨涛
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    国内基金
    海外基金