MOCVD生长GaN和兰光LED
批准号:
69476025
项目类别:
面上项目
资助金额:
10.0 万元
负责人:
张国义
依托单位:
学科分类:
半导体光电子器件与集成
结题年份:
1997
批准年份:
1994
项目状态:
已结题
项目参与者:
张国义、刘弘度、童玉珍、党小忠、徐自亮、丁晓民
GaN单晶衬底及其同质外延的研究
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批准号:60976009
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项目类别:面上项目
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资助金额:50.0万元
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批准年份:2009
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负责人:张国义
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依托单位:
GaN-基稀磁半导体与偏振光发光二极管的研究
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批准号:60776041
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项目类别:面上项目
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资助金额:40.0万元
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批准年份:2007
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负责人:张国义
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依托单位:
GaN基光子晶体及其在提高发光器件出光效率中的应用
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批准号:60577030
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项目类别:面上项目
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资助金额:24.0万元
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批准年份:2005
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负责人:张国义
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依托单位:
GaN-based稀磁半导体材料与自旋电子共振隧穿器件的研究
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批准号:60376005
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2003
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负责人:张国义
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依托单位:
GaN基紫外光传感器及其应用的研究
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批准号:69876002
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项目类别:面上项目
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资助金额:14.0万元
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批准年份:1998
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负责人:张国义
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依托单位:
GaN基兰-绿光材料制备及应用中的科学问题
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批准号:69789601
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:80.0万元
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批准年份:1997
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负责人:张国义
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依托单位:
国内基金
海外基金