MOCVD生长GaN和兰光LED
批准号：
69476025
项目类别：
面上项目
资助金额：
10.0 万元
负责人：
张国义
依托单位：
北京大学
学科分类：
F0403.半导体光电子器件与集成
结题年份：
1997
批准年份：
1994
项目状态：
已结题
项目参与者：
张国义、刘弘度、童玉珍、党小忠、徐自亮、丁晓民
关键词：
GaN/InGaNMOCVD兰光LED
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GaN单晶衬底及其同质外延的研究
  • 批准号：
    60976009
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    50.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN－基稀磁半导体与偏振光发光二极管的研究
  • 批准号：
    60776041
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    40.0万元
  • 批准年份：
    2007
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN基光子晶体及其在提高发光器件出光效率中的应用
  • 批准号：
    60577030
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2005
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN－based稀磁半导体材料与自旋电子共振隧穿器件的研究
  • 批准号：
    60376005
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    20.0万元
  • 批准年份：
    2003
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN基紫外光传感器及其应用的研究
  • 批准号：
    69876002
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    14.0万元
  • 批准年份：
    1998
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN基兰-绿光材料制备及应用中的科学问题
  • 批准号：
    69789601
  • 项目类别：
    专项基金项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    1997
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
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