GaN－based稀磁半导体材料与自旋电子共振隧穿器件的研究
结题报告
批准号：
60376005
项目类别：
面上项目
资助金额：
20.0 万元
负责人：
张国义
依托单位：
北京大学
学科分类：
F0401.半导体材料
结题年份：
2006
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
胡成余、黎子兰、童玉珍、周劲、李忠辉、陆曙、周生强、孙昌
关键词：
居里温度稀磁半导体自旋电子学共振隧穿..GaN
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中文摘要
目前的试验和理论计算都表明，只有GaN基和ZnO基的稀磁半导体的居里温度可以达到室温以上，在自旋电子学器件方面具有广泛的应用前景和深刻的物理意义。在制备方法和许多试验现象上，都还处于探索阶段，但是已经引起了世界学术界的广泛关注。我们拟采用MOCVD技术生长高质量的GaN－基材料，采用沟道离子注入的方法注入Mn，Co和Fe等磁性离子，再采用激光和/或热激活或再结晶等方法，制备磁性半导体材料，同时也拟
英文摘要
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Mosaic structure evolution in
镶嵌结构的演变
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：陈志涛;张国义Chen Zhi-Tao, Xu
通讯作者：张国义Chen Zhi-Tao, Xu
Effect of long time annealing
长时间退火的影响
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：陈志涛;张国义Z.T.Chen, K.Xu,
通讯作者：张国义Z.T.Chen, K.Xu,
Temperature dependent diffusio
温度依赖性扩散
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：C.Y. Hu ,?, Z.X. Qin , Z.X. Fe
通讯作者：C.Y. Hu ,?, Z.X. Qin , Z.X. Fe
线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜
DOI：--
发表时间：--
期刊：半导体学报，27，80，2006
影响因子：--
作者：陈志涛;徐科;杨志坚;苏月永
通讯作者：苏月永
Twist angle of mosaic structur
镶嵌结构扭转角度
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：苏月勇;陈志涛;张国义Su Yue-y
通讯作者：张国义Su Yue-y
GaN单晶衬底及其同质外延的研究
  • 批准号：
    60976009
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    50.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN－基稀磁半导体与偏振光发光二极管的研究
  • 批准号：
    60776041
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    40.0万元
  • 批准年份：
    2007
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN基光子晶体及其在提高发光器件出光效率中的应用
  • 批准号：
    60577030
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2005
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN基紫外光传感器及其应用的研究
  • 批准号：
    69876002
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    14.0万元
  • 批准年份：
    1998
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN基兰-绿光材料制备及应用中的科学问题
  • 批准号：
    69789601
  • 项目类别：
    专项基金项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    1997
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
MOCVD生长GaN和兰光LED
  • 批准号：
    69476025
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    1994
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
国内基金
海外基金