GaN－based稀磁半导体材料与自旋电子共振隧穿器件的研究
批准号：
60376005
项目类别：
面上项目
资助金额：
20.0 万元
负责人：
张国义
依托单位：
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2006
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
胡成余、黎子兰、童玉珍、周劲、李忠辉、陆曙、周生强、孙昌
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
目前的试验和理论计算都表明，只有GaN基和ZnO基的稀磁半导体的居里温度可以达到室温以上，在自旋电子学器件方面具有广泛的应用前景和深刻的物理意义。在制备方法和许多试验现象上，都还处于探索阶段，但是已经引起了世界学术界的广泛关注。我们拟采用MOCVD技术生长高质量的GaN－基材料，采用沟道离子注入的方法注入Mn，Co和Fe等磁性离子，再采用激光和/或热激活或再结晶等方法，制备磁性半导体材料，同时也拟
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Mosaic structure evolution in
镶嵌结构的演变
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[陈志涛, 张国义Chen Zhi-Tao, Xu]
通讯作者：
张国义Chen Zhi-Tao, Xu
Effect of long time annealing
长时间退火的影响
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[陈志涛, 张国义Z.T.Chen, K.Xu,]
通讯作者：
张国义Z.T.Chen, K.Xu,
Temperature dependent diffusio
温度依赖性扩散
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[C.Y. Hu ,?, Z.X. Qin , Z.X. Fe]
通讯作者：
C.Y. Hu ,?, Z.X. Qin , Z.X. Fe
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报，27，80，2006
影响因子：
--
作者：
[陈志涛, 徐科, 杨志坚, 苏月永]
通讯作者：
苏月永
Twist angle of mosaic structur
镶嵌结构扭转角度
镶嵌结构扭转角度
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[苏月勇, 陈志涛, 张国义Su Yue-y]
通讯作者：
张国义Su Yue-y
共 8 条
GaN单晶衬底及其同质外延的研究
-
批准号：60976009
-
项目类别：面上项目
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资助金额：50.0万元
-
批准年份：2009
-
负责人：张国义
-
依托单位：
GaN－基稀磁半导体与偏振光发光二极管的研究
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批准号：60776041
-
项目类别：面上项目
-
资助金额：40.0万元
-
批准年份：2007
-
负责人：张国义
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依托单位：
GaN基光子晶体及其在提高发光器件出光效率中的应用
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批准号：60577030
-
项目类别：面上项目
-
资助金额：24.0万元
-
批准年份：2005
-
负责人：张国义
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依托单位：
GaN基紫外光传感器及其应用的研究
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批准号：69876002
-
项目类别：面上项目
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资助金额：14.0万元
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批准年份：1998
-
负责人：张国义
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依托单位：
GaN基兰-绿光材料制备及应用中的科学问题
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批准号：69789601
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项目类别：专项基金项目
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资助金额：80.0万元
-
批准年份：1997
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负责人：张国义
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依托单位：
MOCVD生长GaN和兰光LED
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批准号：69476025
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项目类别：面上项目
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资助金额：10.0万元
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批准年份：1994
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负责人：张国义
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依托单位：
国内基金
海外基金