GaN基紫外光传感器及其应用的研究
批准号：
69876002
项目类别：
面上项目
资助金额：
14.0 万元
负责人：
张国义
依托单位：
北京大学
学科分类：
F0404.半导体电子器件与集成
结题年份：
2001
批准年份：
1998
项目状态：
已结题
项目参与者：
金泗轩、丁晓民、阎卫平、李景
关键词：
氮化镓.紫外光.传感器
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GaN单晶衬底及其同质外延的研究
  • 批准号：
    60976009
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    50.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN－基稀磁半导体与偏振光发光二极管的研究
  • 批准号：
    60776041
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    40.0万元
  • 批准年份：
    2007
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN基光子晶体及其在提高发光器件出光效率中的应用
  • 批准号：
    60577030
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2005
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN－based稀磁半导体材料与自旋电子共振隧穿器件的研究
  • 批准号：
    60376005
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    20.0万元
  • 批准年份：
    2003
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
GaN基兰-绿光材料制备及应用中的科学问题
  • 批准号：
    69789601
  • 项目类别：
    专项基金项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    1997
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
MOCVD生长GaN和兰光LED
  • 批准号：
    69476025
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    1994
  • 负责人：
    张国义
  • 依托单位：
    北京大学
国内基金
海外基金