课题基金 / 基金详情

GaN基紫外光传感器及其应用的研究

批准号:
69876002
项目类别:
面上项目
资助金额:
14.0 万元
负责人:
张国义
依托单位:
学科分类:
半导体电子器件与集成
结题年份:
2001
批准年份:
1998
项目状态:
已结题
项目参与者:
金泗轩、丁晓民、阎卫平、李景

张国义的其他基金

相似基金

相关文献

GaN单晶衬底及其同质外延的研究
  • 批准号:
    60976009
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    50.0万元
  • 批准年份:
    2009
  • 负责人:
    张国义
  • 依托单位:
GaN-基稀磁半导体与偏振光发光二极管的研究
  • 批准号:
    60776041
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    40.0万元
  • 批准年份:
    2007
  • 负责人:
    张国义
  • 依托单位:
GaN基光子晶体及其在提高发光器件出光效率中的应用
  • 批准号:
    60577030
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2005
  • 负责人:
    张国义
  • 依托单位:
GaN-based稀磁半导体材料与自旋电子共振隧穿器件的研究
  • 批准号:
    60376005
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    20.0万元
  • 批准年份:
    2003
  • 负责人:
    张国义
  • 依托单位:
国内基金
海外基金