GaN－基稀磁半导体与偏振光发光二极管的研究

具有高于室温的居里温度的GaN基稀磁半导体材料在自旋电子学和光电子学领域里具有广泛的应用前景和深刻的物理意义，在全世界范围内引发了新一轮的稀磁半导体研究热潮。我们在国内首次采用MOCVD技术，获得的GaMnN材料居里温度超过380K。本项目在已有相关基础上，继续以GaMnN稀磁半导体材料为切入点，针对GaN基稀磁半导体领域中的核心问题展开研究：深入开展GaMnN材料的MOCVD生长研究，以及GaN基的其它稀磁半导体材料和结构，并在此基础上结合第一性原理研究磁性元素在GaN中的溶解度，材料的结构和性能，包括材料的微结构和缺陷结构及其对磁学、光学和电学等性能的影响。在以上研究的基础上，开展GaN基稀磁半导体材料在自旋注入偏振光LED器件中的应用研究，其中包括器件设计，自旋输运，自旋电子复合发光的偏振性等基本物理问题研究。为偏振光LED在液晶背光源中的的应用奠定理论和实验基础。