新型结构的碳化硅MESFET器件的研究
批准号：
60606022
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
30.0 万元
负责人：
吕红亮
依托单位：
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
张义门、常远程、曹全君、王悦湖、陈洪波
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
碳化硅射频功率器件具有体积小、质量轻、耐高温、功能强大、匹配简单等优点，有望在射频功率领域发挥巨大作用。由于材料特性及工艺水平的限制，普通的4H-SiC MESFET器件中出现陷阱效应和电流不稳定等不利因素，限制了器件的性能和发展前景。针对以上问题，本项目提出对新型结构碳化硅金属-半导体接触场效应晶体管（4H-SiC BG-BCMESFET）的研究，利用新的器件结构抑制陷阱效应，改善器件特性，实现碳化硅器件在射频功率应用领域的突破。主要研究内容围绕建立器件模型、探索器件工艺、优化匹配设计、实现功率封装等开展，完成芯片设计和仿真评估，并投片验证设计结果。
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Electrothermal simulation of the self-heating effects in 4H-SiC MESFETs
4H-SiC MESFET 自热效应的电热模拟
4H-SiC MESFET 自热效应的电热模拟
DOI：
10.1088/1674-1056/17/4/043
发表时间：
2008-04
期刊：
Chinese Physics B
影响因子：
1.7
作者：
[Che Yong, Zhang Yu-Ming, Lu Hong-Liang, Zhang Yi-Men]
通讯作者：
Zhang Yi-Men
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[Zhang Yu-Ming, Zhang Yi-Men, Chen Liang, Che Yong, Lu Hong-Liang, Wang Yue-Hu]
通讯作者：
Wang Yue-Hu
High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes at room temperature
室温下高能电子辐射对 Ni 和 Ti/4H-SiC 肖特基势垒二极管的影响
室温下高能电子辐射对 Ni 和 Ti/4H-SiC 肖特基势垒二极管的影响
DOI：
10.1088/1674-1056/18/5/034
发表时间：
2009-05
期刊：
Chinese Physics B
影响因子：
1.7
作者：
[吕红亮]
通讯作者：
吕红亮
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[吕红亮]
通讯作者：
吕红亮
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
微波学报
影响因子：
--
作者：
[吕红亮]
通讯作者：
吕红亮
共 16 条
表面量子阱隧穿场效应晶体管的多态调控机理研究
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批准号：62374120
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项目类别：面上项目
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资助金额：48万元
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批准年份：2023
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负责人：吕红亮
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依托单位：
国内基金
海外基金