High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes at room temperature
High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes at room temperature
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室温下高能电子辐射对 Ni 和 Ti/4H-SiC 肖特基势垒二极管的影响
DOI：
10.1088/1674-1056/18/5/034
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发表时间：
2009-05
影响因子：
1.7
通讯作者：
吕红亮
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
吕红亮
本文报道了Ni和Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）的制备和1 MeV电子辐照，辐照剂量达3.43× 1014 e/cm 2。辐照后，Ni/4 H-SiC SBD的肖特基势垒高度B从1.20 eV增加到1
This paper reports that Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) were fabricated and irradiated with 1 MeV electrons up to a dose of 3.43× 10 14 e/cm 2 . After radiation, the Schottky barrier heightB of the Ni/4H-SiC SBD increased from 1.20 eV to 1
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DOI：
10.1088/1009-1963/12/1/317
发表时间：
2003-01
期刊：
Chinese Physics
影响因子：
--
作者：
Shou-Guo Wang;Yimen Zhang;Yu-Ming Zhang
通讯作者：
Shou-Guo Wang;Yimen Zhang;Yu-Ming Zhang
影响因子：
3.2
作者：
Alfieri, G;Monakhov, EV;Hallén, A
通讯作者：
Hallén, A
DOI：
10.1088/1009-1963/12/3/313
发表时间：
2003-03
期刊：
Chinese Physics
影响因子：
--
作者：
Shou-Guo Wang;Lin-An Yang;Yimen Zhang;Yu-Ming Zhang;Zhi-Yong Zhang;Jun-Feng Yan
通讯作者：
Shou-Guo Wang;Lin-An Yang;Yimen Zhang;Yu-Ming Zhang;Zhi-Yong Zhang;Jun-Feng Yan
影响因子：
3.2
作者：
Danno, Katsunori;Kimoto, Tsunenobu
通讯作者：
Kimoto, Tsunenobu
影响因子：
4
作者：
S. Nigam;J. Kim;F. Ren;G. Chung;M. F. Macmillan;R. Dwivedi;T. Fogarty;R. Wilkins;K. Allums
通讯作者：
S. Nigam;J. Kim;F. Ren;G. Chung;M. F. Macmillan;R. Dwivedi;T. Fogarty;R. Wilkins;K. Allums