InGaAs/InP雪崩光电二极管的缺陷形成机理和性能退化机制研究
批准号：
U2241219
项目类别：
联合基金项目
资助金额：
255.00 万元
负责人：
李天信
依托单位：
中国科学院上海技术物理研究所
学科分类：
--
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
李天信
关键词：
InGaAs/InP雪崩光电二极管 缺陷形成 性能退化 雪崩过程
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