课题基金 / 基金详情

InGaAs/InP雪崩光电二极管的缺陷形成机理和性能退化机制研究

批准号：
U2241219
项目类别：
联合基金项目
资助金额：
255.00 万元
负责人：
李天信
依托单位：
中国科学院上海技术物理研究所
学科分类：
半导体材料
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
李天信
关键词：
InGaAs/InP雪崩光电二极管 缺陷形成 性能退化 雪崩过程

李天信的其他基金

相似基金

相关文献

垂直单纳米线的红外光电特性
量子点操控的单光子探测和圆偏振单光子发射
半导体量子态的布居特征和光电耦合微观机理
单量子点体系的输运和光电过程
国内基金
海外基金