单量子点体系的输运和光电过程
批准号:
10604059
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
35.0 万元
负责人:
李天信
依托单位:
学科分类:
A2202.光与物质相互作用
结题年份:
2009
批准年份:
2006
项目状态:
已结题
项目参与者:
季亚林、王茺、余晨辉、甄红楼、徐向晏、夏长生
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中文摘要
基于未来量子信息技术的需求,对单个或少数关联量子点中量子过程的揭示和控制受到了极大的关注。我们以InAs/GaAs量子点为对象,利用扫描探针作为纳米电极,测量单量子点体系的输运行为,探究室温条件下量子点能级参与体系电导的现象和机理,建立与实际体系相符的非对称势垒中量子点的输运模型;并以此为基础,将光场引入单量子点体系,检测由于光激发下系统能态布居状况发生变化后对输运性质的影响;实现对单量子点体系中光电行为的初步监控,揭示以这种类原子体系中量子过程为代表的奇异物理特性的基本规律。.本方案使用自组织生长的InAs/GaAs量子点为实验体系,避开了常用的刻蚀量子点对制备工艺的要求,同时利用扫描探针显微系统很高的空间定位和控制能力,实现可移动纳米电极对不同光激发条件下孤立量子点体系电子学性质的检测。
英文摘要
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The effect of the inserted AlGaAs films on the behaviors of InAs quantum dot detector
插入的AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响
DOI:--
发表时间:2008-02
期刊:物理学报
影响因子:--
作者:Yang Yu;Wang Chong;Li Tian-Xin;Xiao Jun;Liu Zhao-Lin;Cui Hao-Yang;Zhang Shu;Lu Wei;Chen Ping-Ping
通讯作者:Chen Ping-Ping
Scanning capacitance microscopy investigation on InGaAs/InP avalanche photodiode structures: Light-induced polarity reversal
InGaAs/InP 雪崩光电二极管结构的扫描电容显微镜研究:光诱导极性反转
DOI:--
发表时间:--
期刊:Appl. Phys. Lett. 95, (2009)
影响因子:--
作者:Hao Yin, T. X. Li, W. J. Wang, et.al
通讯作者:Hao Yin, T. X. Li, W. J. Wang, et.al
High photoexcited carrier multiplication by charged InAs dots in AlAs/GaAs/AlAs resonant tunneling diode
AlAs/GaAs/AlAs 谐振隧道二极管中带电 InAs 点的高光激发载流子倍增
DOI:10.1063/1.2832368
发表时间:2008-01-14
期刊:APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子:4
作者:Wang, Wangping;Hou, Ying;Zeng, Heping
通讯作者:Zeng, Heping
InGaAs/InP雪崩光电二极管的缺陷形成机理和性能退化机制研究
- 批准号:U2241219
- 项目类别:联合基金项目
- 资助金额:255.00万元
- 批准年份:2022
- 负责人:李天信
- 依托单位:
垂直单纳米线的红外光电特性
- 批准号:11574336
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:73.0万元
- 批准年份:2015
- 负责人:李天信
- 依托单位:
量子点操控的单光子探测和圆偏振单光子发射
- 批准号:91321311
- 项目类别:重大研究计划
- 资助金额:400.0万元
- 批准年份:2013
- 负责人:李天信
- 依托单位:
半导体量子态的布居特征和光电耦合微观机理
- 批准号:91121009
- 项目类别:重大研究计划
- 资助金额:80.0万元
- 批准年份:2011
- 负责人:李天信
- 依托单位:
国内基金
海外基金















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