Controlling the on/off current ratio of ferroelectric field-effect transistors.
Controlling the on/off current ratio of ferroelectric field-effect transistors.
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DOI：
10.1038/srep12094
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发表时间：
2015-07-10
影响因子：
4.6
通讯作者：
Asadi K
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Katsouras I;Zhao D;Spijkman MJ;Li M;Blom PW;de Leeuw DM;Asadi K
有机铁电场效应晶体管(FeFET)的通断电流比在很大程度上取决于阈值电压的位置，阈值电压的大小会导致器件之间的变化。在这里，我们展示了通过对FeFET采用双栅布局，我们可以获得对开关比的完全控制。在所得到的双栅FeFET中，铁电栅提供存储功能，并且有利地使用第二非铁电控制栅来设置阈值电压。因此，导通/关断比可以在读出偏压下最大化。通过对双栅FeFET中电荷输运的定量分析，解释了其工作原理。
The on/off current ratio in organic ferroelectric field-effect transistors (FeFETs) is largely determined by the position of the threshold voltage, the value of which can show large device-to-device variations. Here we show that by employing a dual-gate layout for the FeFET, we can gain full control over the on/off ratio. In the resulting dual-gate FeFET the ferroelectric gate provides the memory functionality and the second, non-ferroelectric, control gate is advantageously used to set the threshold voltage. The on/off ratio can thus be maximized at the readout bias. The operation is explained by the quantitative analysis of charge transport in a dual-gate FeFET.
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