Epitaxial Growth of Pt(001) Thin Films on Si Substrates using an Epitaxial γ-Al_2O_3(001) Buffer Layer
Epitaxial Growth of Pt(001) Thin Films on Si Substrates using an Epitaxial γ-Al_2O_3(001) Buffer Layer
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使用外延 γ-Al_2O_3(001) 缓冲层在 Si 衬底上外延生长 Pt(001) 薄膜
DOI:
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发表时间:
2004
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
Makoto Ishida
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Daisuke Akai;Keisuke Hirabayashi;Mikako Yokawa;Kazuaki Sawada;Makoto Ishida
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影响因子:
1.5
作者:
M. Ishida;H. Hori;Fumitaka Kondo;D. Akai;K. Sawada
通讯作者:
K. Sawada
DOI:
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发表时间:
1989
期刊:
影响因子:
--
作者:
M. Ishida;K. Sawada;S. Yamaguchi;Tetsuro Nakamura;T. Suzaki
通讯作者:
T. Suzaki
影响因子:
4
作者:
M. Ishida;I. Katakabe;Tetsuro Nakamura;N. Ohtake
通讯作者:
N. Ohtake
DOI:
10.1116/1.579392
发表时间:
1995
期刊:
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子:
--
作者:
Sang;S. Baik
通讯作者:
S. Baik
影响因子:
5.4
作者:
C. Lee;Sungwoong Chung;Yong Chun Kim;In Seop Chung;D. Wee;W. Lee
通讯作者:
W. Lee