Revealing high room and low temperatures mobilities of 2D holes in a strained Ge quantum well heterostructures grown on a standard Si(001) substrate
Revealing high room and low temperatures mobilities of 2D holes in a strained Ge quantum well heterostructures grown on a standard Si(001) substrate
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揭示在标准 Si(001) 衬底上生长的应变 Ge 量子阱异质结构中二维空穴的高室温和低温迁移率
DOI：
10.1016/j.sse.2015.01.012
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发表时间：
2015
影响因子：
1.7
通讯作者：
D. Leadley
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Myronov;C. Morrison;J. Halpin;S. Rhead;J. Foronda;D. Leadley
影响因子：
3.2
作者：
Shah, V. A.;Dobbie, A.;Leadley, D. R.
通讯作者：
Leadley, D. R.
影响因子：
4
作者：
Dobbie, A.;Myronov, M.;Leadley, D. R.
通讯作者：
Leadley, D. R.
影响因子：
4
作者：
Shah, V. A.;Dobbie, A.;Leadley, D. R.
通讯作者：
Leadley, D. R.