Extended vacancy-type defects in silicon induced at low temperatures by electron irradiation
Extended vacancy-type defects in silicon induced at low temperatures by electron irradiation
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低温下电子辐照引起的硅中扩展的空位型缺陷
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Kimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Yamasaki;S.Takeda;Y.Ohno;Y.Kimura
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超高真空环境下电子辐照在硅表面形成纳米孔
影响因子：
8.6
作者：
S. Takeda;K. Koto;S. Iijima;T. Ichihashi
通讯作者：
T. Ichihashi
半导体中的点缺陷辅助扩散
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Dabrowski
通讯作者：
J. Dabrowski
Si 空位中的共价、弹性和电子相关性
DOI：
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Oshiyama;M. Saito;O. Sugino
通讯作者：
O. Sugino
1–5 keV Si+ 离子注入产生的硅间隙缺陷
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Agarwal;T. E. Haynes;D. Eaglesham;H. Gossmann;D. Jacobson;J. Poate;Y. Erokhin
通讯作者：
Y. Erokhin
硅中 MeV Si、Ge 和 Sn 注入产生的二次缺陷的透射电子显微镜表征
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Wong;S. Fatima;C. Jagadish;J. Gerald;C. Chou;J. Zou;D. Cockayne
通讯作者：
D. Cockayne