Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates
Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates
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(311)A/B GaAs 衬底上生长的 n 型 GaAsN 的 Cu 肖特基接触的电特性
DOI：
10.1016/j.jallcom.2015.10.097
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发表时间：
2016-02
影响因子：
6.2
通讯作者：
Yamaguchi Masafumi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dong Chen;Han Xiuxun;Gao Xin;Ohshita Yoshio;Yamaguchi Masafumi
用电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测量方法研究了化学束外延生长在(100)和(311)A/B衬底上的n型GaAsN上铜的接触行为。研究发现，N掺杂和生长取向都会影响Cu/GaAsN肖特基二极管的电学性能。在所有生长取向的样品中，随着N组分的增加，理想因子和肖特基势垒高度(C-V)增加，而载流子浓度降低。与(100)和(311)B样品相比，生长在(311)A GaAsN外延层上的肖特基二极管具有更好的性能，理想因子接近1，势垒高度更高。金属层与生长表面原子之间的界面化学反应被认为解释了观察到的现象。
The contact behavior of Cu on n-type GaAsN, grown on (100) and (311)A/B GaAs substrates by chemical beam epitaxy, has been investigated by current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) measurements. Both N incorporation and growth orientation are found to influence the electrical properties of Cu/GaAsN Schottky diodes. The increasing N composition leads to an increase in the ideality factor and Schottky barrier height (C–V), whereas a decrease in the carrier concentration in samples with all adopted growth orientations. Compared with (100) and (311)B samples, the Schottky diodes constructed on (311)A GaAsN epilayer exhibit better performance with ideality factor close to 1 and higher barrier height. The interfacial chemical reaction between metal layer and surface atoms on the growth surface is believed to account for the observations.
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影响因子：
3.2
作者：
OKUMURA, T;TU, KN
通讯作者：
TU, KN
DOI：
10.5185/amlett.2012.1316
发表时间：
2012-07
期刊：
Advanced Materials Letters
影响因子：
--
作者：
S. Naik;V. Reddy
通讯作者：
S. Naik;V. Reddy
影响因子：
8.6
作者：
A. Janotti;P. Reunchan;S. Limpijumnong;C. G. Van de Walle
通讯作者：
A. Janotti;P. Reunchan;S. Limpijumnong;C. G. Van de Walle
影响因子：
3.2
作者：
J. Ibáñez;R. Kudrawiec;J. Misiewicz;M. Schmidbauer;M. Henini;M. Hopkinson
通讯作者：
J. Ibáñez;R. Kudrawiec;J. Misiewicz;M. Schmidbauer;M. Henini;M. Hopkinson
影响因子：
3.2
作者：
W. Loke;S. Yoon;S. Wang;T. K. Ng;W. Fan
通讯作者：
W. Loke;S. Yoon;S. Wang;T. K. Ng;W. Fan