Molecular beam epitaxy of InN and InN:Mg layers
Molecular beam epitaxy of InN and InN:Mg layers
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InN 和 InN:Mg 层的分子束外延
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Xinqiang Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
金佑彊;忻宇飛;金栄現;金相賢;長田剛規;秦雅彦;竹中充;高木信一;太田 淳 (分担執筆);Xinqiang Wang
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通过 RF-MBE 和 RF-MEE 在 SiC 衬底上生长 AlN 薄膜
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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作者：
N. Teraguchi;A. Suzuki;Y. Saito;T. Yamaguchi;T. Araki;Y. Nanishi
通讯作者：
Y. Nanishi
影响因子：
8.6
作者：
DEWIT, L;WEBER, T;SARIS, FW
通讯作者：
SARIS, FW
影响因子：
4
作者：
LIN, ME;XUE, G;MORKOC, H
通讯作者：
MORKOC, H
等离子体辅助分子束外延在6H-SiC上AlN外延层的生长模式
DOI：
10.1016/s0022-0248(99)00582-5
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
G. Ferro;H. Okumura;S. Yoshida
通讯作者：
S. Yoshida
AlGaN∕GaN∕AlN 晶体管结构分子束外延生长过程中硅从 SiC 衬底快速向外扩散
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
W. Hoke;A. Torabi;J. Mosca;R. Hallock;T. Kennedy
通讯作者：
T. Kennedy