Effects of vicinal angles from(001)surface on the boron-doping features of high-quality homoepitaxial diamond films grown by the high-power microwave plasma chemical-vapor-deposition method
Effects of vicinal angles from(001)surface on the boron-doping features of high-quality homoepitaxial diamond films grown by the high-power microwave plasma chemical-vapor-deposition method
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(001)面邻角对高功率微波等离子体化学气相沉积高质量同质外延金刚石薄膜硼掺杂特性的影响
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Terajiand T. Ito
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Arima;H. Miyatake;T. Terajiand T. Ito
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