Two-dimensional negative capacitance transistor with polyvinylidene fluoride-based ferroelectric polymer gating
Two-dimensional negative capacitance transistor with polyvinylidene fluoride-based ferroelectric polymer gating
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具有聚偏二氟乙烯基铁电聚合物栅极的二维负电容晶体管
DOI：
10.1038/s41699-017-0040-4
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发表时间：
2017-11
影响因子：
9.7
通讯作者：
J. L. Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. D. Wang;Y. Chen;G. G. Wu;D. Li;L. Q. Tu;S. Sun;H. Shen;T. Lin;Y. G. Xiao;M. H. Tang;W. D. Hu;L. Liao;P. Zhou;J. L. Sun;X. J. Meng;J. H. Chu;J. L. Wang
传统场效应晶体管 (FET) 预计无法满足未来大型集成纳米电子电路的要求，因为这些电路具有超高功耗，并且传统 FET 无法克服 60 mV/十倍频程的亚阈值摆幅 (SS) 限制。在这项工作中，FET 的普通氧化物仅被铁电 (Fe) 聚合物、聚(偏二氟乙烯-三氟乙烯) (P(VDF-TrFE)) 取代。此外，我们采用二维 (2D) 半导体，例如 MoS2 和 MoSe2，作为通道。该 2D Fe-FET 在室温下的漏极电流可实现 24.2 mV/dec 的超低 SS，超过四个数量级；这种低于 60 mV/dec 的切换源自铁电域切换极化过程中的 Fe 负电容 (NC) 效应。这种通过二维半导体和有机铁电体集成实现的二维NC-FET，为满足下一代低能耗集成纳米电子电路的要求以及未来柔性电子的要求提供了一种新方法。
Conventional field-effect transistors (FETs) are not expected to satisfy the requirements of future large integrated nanoelectronic.circuits because of these circuits’ ultra-high power dissipation and because the conventional FETs cannot overcome the.subthreshold swing (SS) limit of 60 mV/decade. In this work, the ordinary oxide of the FET is replaced only by a ferroelectric (Fe).polymer, poly(vinylidene difluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)). Additionally, we employ a two-dimensional (2D).semiconductor, such as MoS2 and MoSe2, as the channel. This 2D Fe-FET achieves an ultralow SS of 24.2 mV/dec over four orders of.magnitude in drain current at room temperature; this sub-60 mV/dec switching is derived from the Fe negative capacitance (NC).effect during the polarization of ferroelectric domain switching. Such 2D NC-FETs, realized by integrating of 2D semiconductors and.organic ferroelectrics, provide a new approach to satisfy the requirements of next-generation low-energy-consumption integrated.nanoelectronic circuits as well as the requirements of future flexible electronics.
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DOI：
10.1038/s43586-022-00151-5
发表时间：
2014-03
期刊：
Nature Reviews Methods Primers
影响因子：
--
作者：
R. Gorbachev
通讯作者：
R. Gorbachev
影响因子：
4.6
作者：
Park JH;Jang GS;Kim HY;Seok KH;Chae HJ;Lee SK;Joo SK
通讯作者：
Joo SK
DOI：
10.1109/tdei.2004.1285891
发表时间：
2004-06
影响因子：
3.1
作者：
Y. Takahashi;A. Kitahama;T. Furukawa
通讯作者：
Y. Takahashi;A. Kitahama;T. Furukawa
影响因子：
4.9
作者：
Jo, Jaesung;Shin, Changhwan
通讯作者：
Shin, Changhwan
DOI：
--
发表时间：
2017-04
期刊：
arXiv: Mesoscale and Nanoscale Physics
影响因子：
--
作者：
M. Si;C. Su;Chunsheng Jiang;N. Conrad;Hong Zhou;K. Maize;G. Qiu;C. Wu;A. Shakouri;M. Alam;P. Ye
通讯作者：
M. Si;C. Su;Chunsheng Jiang;N. Conrad;Hong Zhou;K. Maize;G. Qiu;C. Wu;A. Shakouri;M. Alam;P. Ye