Instability of crystal/melt interface in Si-rich SiGe
Instability of crystal/melt interface in Si-rich SiGe
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富硅 SiGe 中晶体/熔体界面的不稳定性
DOI：
10.1063/1.5038755
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发表时间：
2018
影响因子：
3.2
通讯作者：
S. Uda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Mokhtari;K. Fujiwara;G. Takakura;K. Maeda;H. Koizumi;J. Nozawa;S. Uda
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元素合金系统中界面稳定性标准的调查：Ge-Si、Bi-Sb 和 Se-Te
DOI：
10.1016/0022-0248(74)90172-9
发表时间：
1974
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Dismukes;W. M. Yim
通讯作者：
W. M. Yim
添加 GaP 制备的 Si80Ge20 热电合金
影响因子：
3.2
作者：
B. Cook;J. Harringa;Siyuan Han;C. B. Vining
通讯作者：
C. B. Vining
用于可视化 Si1−xGex 单晶固液界面的横向光电压扫描 (LPS) 方法
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
N. Abrosimov;A. Lüdge;H. Riemann;W. Schröder
通讯作者：
W. Schröder
影响因子：
4
作者：
K. Fujiwara;M. Tokairin;W. Pan;H. Koizumi;J. Nozawa;S. Uda
通讯作者：
K. Fujiwara;M. Tokairin;W. Pan;H. Koizumi;J. Nozawa;S. Uda
利用改进的相场方法研究 Ge 1-x Si x 单晶生长过程中胞状结构的演化。
DOI：
10.1103/physreve.81.051604
发表时间：
2010
期刊：
Physical review. E, Statistical, nonlinear, and soft matter physics
影响因子：
--
作者：
W. Miller;I. Rasin;D. Stock
通讯作者：
D. Stock