Hole mobility of p-type beta-FeSi_2 thin film grown from Si/Fe multilayers

Hole mobility of p-type beta-FeSi_2 thin film grown from Si/Fe multilayers
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Si/Fe多层膜生长的p型β-FeSi_2薄膜的空穴迁移率

DOI:
--
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发表时间:
2005
期刊:
Journal of Applied Physics 96
影响因子:
--
通讯作者:
K.Takakura et al.
K.Takakura et al.
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Tange;Amano;Nishizaki;Yoshizaki;K.Takakura et al.

文献摘要

参考文献

被引文献

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