Effect of carbon on boron diffusion and clustering in silicon: Temperature dependence study

Effect of carbon on boron diffusion and clustering in silicon: Temperature dependence study
复制标题

碳对硅中硼扩散和团聚的影响:温度依赖性研究

DOI:
10.1063/1.5048313
复制
发表时间:
2018
影响因子:
3.2
通讯作者:
Nagai Y.
Nagai Y.
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
Tu Y.;Shimizu Y.;Kunimune Y.;Shimada Y.;Katayama T.;Ide T.;Inoue M.;Yano F.;Inoue K.;Nagai Y.

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

硅中陷阱限制的间隙扩散和增强的硼团簇
DOI: 10.1063/1.114015
发表时间: 1995
影响因子: 4
作者:
P. Stolk;H. Gossmann;D. Eaglesham;D. Jacobson;J. Poate;H. Luftman
通讯作者: H. Luftman
使用原子探针断层扫描技术研究硼掺杂硅
DOI: 10.1088/1757-899x/7/1/012004
发表时间: 2010
期刊: --
影响因子: --
作者:
D. Blavette;E. Cadel;O. Cojocaru;B. Deconihout
通讯作者: B. Deconihout
离子注入硅中 3D 原子级掺杂剂缺陷聚类过程的直接成像。
DOI: --
发表时间: 2013
期刊: Nano letters (Print)
影响因子: --
作者:
S. Koelling;O. Richard;H. Bender;M. Uematsu;A. Schulze;G. Zschaetzsch;M. Gilbert;W. Vandervorst
通讯作者: W. Vandervorst
硅纳米结构中掺杂剂的三维原子图
DOI: 10.1063/1.2005368
发表时间: 2005
影响因子: 4
作者:
K. Thompsona;J. Booske;D. Larson;T. Kelly
通讯作者: T. Kelly
DOI: 10.1063/1.123213
发表时间: 1999-06
影响因子: 4
作者:
L. Pelaz;G. Gilmer;H. Gossmann;C. Rafferty;M. Jaraíz;J. Barbolla
通讯作者: L. Pelaz;G. Gilmer;H. Gossmann;C. Rafferty;M. Jaraíz;J. Barbolla