Effect of the Al0.3Ga0.7As interlayer thickness upon the quality of GaAs on a Ge substrate grown by metal-organic chemical vapor deposition
Effect of the Al0.3Ga0.7As interlayer thickness upon the quality of GaAs on a Ge substrate grown by metal-organic chemical vapor deposition
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金属有机化学气相沉积 Ge 衬底上 Al0.3Ga0.7As 中间层厚度对 GaAs 质量的影响
DOI：
10.1116/1.4809514
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发表时间：
2013-06
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Changqing Chen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Senlin Li;Qingqing Chen;Jin Zhang;Huiquan Chen;Wei Xu;Hui Xiong;Zhihao Wu;YanYan Fang;Changqing Chen
Ge 衬底上的 GaAs 外延层通过金属有机化学气相沉积法生长出薄的 Al0.3Ga0.7As 中间层，目的是研究 Al0.3Ga0.7As 中间层厚度对 GaAs 外延层的影响。结果表明，随着Al0.3Ga0.7As层厚从0增加到30nm，GaAs外延层的晶体质量和表面形貌均呈现先改善后劣化的趋势。所有研究的Al0.3Ga0.7As中间层均能有效阻止Ge原子向GaAs外延层的扩散，并且通过生长15-23nm厚的Al0.3Ga0.7As中间层获得了具有光滑表面的高结晶质量GaAs外延层。
GaAs epilayers on Ge substrates are grown with a thin Al0.3Ga0.7As interlayer via metal-organic chemical vapor deposition with the goal of investigating the effect of the Al0.3Ga0.7As interlayer thickness upon the GaAs epilayer. The results show that as the Al0.3Ga0.7As interlayer thickness increases from 0 to 30 nm, both the crystal quality and surface morphology of the GaAs epilayer follow a trend of melioration and then deterioration. All of the Al0.3Ga0.7As interlayers investigated are seen to effectively block the diffusion of Ge atoms to the GaAs epilayers, and high crystalline quality GaAs epilayers with a smooth surface are obtained by growing a 15–23 nm-thick Al0.3Ga0.7As interlayer.
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J. Carlin;S. Ringel;E. Fitzgerald;M. Bulsara;B. Keyes
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C. Chia;G. Dalapati;Y. Chai;Shao-ping Lu;Weiwei He;Jing-xing Dong;D. Seng;H. K. Hui;A. Wong;A. Lau;Yuanbing Cheng;D. Chi;Zhifeng Zhu;Y. Yeo;Z. Xu;S. Yoon
通讯作者：
C. Chia;G. Dalapati;Y. Chai;Shao-ping Lu;Weiwei He;Jing-xing Dong;D. Seng;H. K. Hui;A. Wong;A. Lau;Yuanbing Cheng;D. Chi;Zhifeng Zhu;Y. Yeo;Z. Xu;S. Yoon
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L. Knuuttila;A. Lankinen;J. Likonen;H. Lipsanen;X. Lu;P. McNally;J. Riikonen;T. Tuomi
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Bowers, John E.