Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films
Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films
复制标题
应力SiO_2栅膜局部电学特性的导电原子力显微镜分析
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Yasuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Watanabe;A.Seko;H.Kondo;A.Sakai;S.Zaima;Y.Yasuda
通过扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱研究电子注入导致超薄 SiO2 薄膜中陷阱的产生
影响因子：
6.7
作者：
K. Ohmori;S. Zaima;Y. Yasuda
通讯作者：
Y. Yasuda
导电原子力显微镜对栅极 SiO_2 薄膜中应力引起的缺陷的检测和表征
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)
影响因子：
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作者：
Y.Watanabe;A.Seko;H.Kondo;A.Sakai;S.Zaima;Y.Yasuda
通讯作者：
Y.Yasuda
Si(100)表面超薄SiO_2薄膜的局部电学特性
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
Surface Science 493
影响因子：
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作者：
H.Ikeda;N.Kurumado;K.Ohmori;M.Sakashita;A.Sakai;S.Zaima;Y.Yasuda
通讯作者：
Y.Yasuda