Rapid default transition of CD4 T cell effectors to functional memory cells.
Rapid default transition of CD4 T cell effectors to functional memory cells.
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DOI：
10.1084/jem.20070041
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发表时间：
2007-09-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Swain SL
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
McKinstry KK;Golech S;Lee WH;Huston G;Weng NP;Swain SL
大多数高度激活的CD4 T细胞效应细胞在抗原清除后死亡，但少数恢复到静息状态，成为具有独特功能属性的记忆细胞。目前尚不清楚抗原清除后效应器何时恢复休息并获得重要的记忆特性。我们通过分析表型、重要的功能特性和基因表达谱来跟踪明确定义的 CD4 T 细胞群从效应器到记忆的转变。我们发现，从效应细胞到记忆的转变非常迅速，因为效应细胞仅休息 3 天，与在没有抗原的情况下休息 60 天或更长时间的典型记忆细胞非常相似。这对于 Th1 和 Th2 谱系都是如此，无论 CD4 T 细胞效应器是在体内还是体外，都会发生这种情况，这表明存在默认途径。我们发现基因表达水平上的效应-记忆转变发生在两个阶段：大量效应相关基因的表达迅速丧失，以及与长时间休息的记忆细胞独特相关的一组基因的表达逐渐增加。
The majority of highly activated CD4 T cell effectors die after antigen clearance, but a small number revert to a resting state, becoming memory cells with unique functional attributes. It is currently unclear when after antigen clearance effectors return to rest and acquire important memory properties. We follow well-defined cohorts of CD4 T cells through the effector-to-memory transition by analyzing phenotype, important functional properties, and gene expression profiles. We find that the transition from effector to memory is rapid in that effectors rested for only 3 d closely resemble canonical memory cells rested for 60 d or longer in the absence of antigen. This is true for both Th1 and Th2 lineages, and occurs whether CD4 T cell effectors rest in vivo or in vitro, suggesting a default pathway. We find that the effector–memory transition at the level of gene expression occurs in two stages: a rapid loss of expression of a myriad of effector-associated genes, and a more gradual gain of expression of a cohort of genes uniquely associated with memory cells rested for extended periods.
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