Stabilization network optimization of internally matched GaN HEMTs
Stabilization network optimization of internally matched GaN HEMTs
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内部匹配 GaN HEMT 的稳定网络优化
DOI：
10.1108/13565361111127331
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发表时间：
2011-05
影响因子：
1.1
通讯作者：
Liu, X. Y.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Luo, W. J.;Chen, X. J.;Yang, C. Y.;Zheng, Y. K.;Wei, K.;Liu, X. Y.
目的-本文的目的是报告内匹配GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的稳定网络优化。设计/方法/途径-两个稳定网络对特性的影响。
Purpose – The purpose of this paper is to report on the stabilization network optimization of internally matched GaN high electron mobility transistors (HEMTs).Design/methodology/approach – The effects of the two stabilization networks on the characterist
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DOI：
10.7567/ssdm.2005.i-6-5l
发表时间：
2005-09
期刊：
The Japan Society of Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Yoshiharu Takadal;H. Sakurai;K. Matsushita;K. Masuda;S. Takatsuka;M. Kuraguchi;Takuma Suzuki;Takashi Suzuki;M. Hirose;H. Kawasaki;K. Takagi;K. Tsuda
通讯作者：
Yoshiharu Takadal;H. Sakurai;K. Matsushita;K. Masuda;S. Takatsuka;M. Kuraguchi;Takuma Suzuki;Takashi Suzuki;M. Hirose;H. Kawasaki;K. Takagi;K. Tsuda
DOI：
10.1109/emicc.2006.282753
发表时间：
2006-09
期刊：
2006 European Microwave Integrated Circuits Conference
影响因子：
--
作者：
N. Ui;S. Sano
通讯作者：
N. Ui;S. Sano
影响因子：
4.9
作者：
Wu, YF;Saxler, A;Parikh, P
通讯作者：
Parikh, P
影响因子：
3.1
作者：
R. Thompson;T. Prunty;V. Kaper;J. Shealy
通讯作者：
R. Thompson;T. Prunty;V. Kaper;J. Shealy
影响因子：
1.1
作者：
Y. Okamoto;A. Wakejima;Y. Ando;T. Nakayama;K. Matsunaga;H. Miyamoto
通讯作者：
Y. Okamoto;A. Wakejima;Y. Ando;T. Nakayama;K. Matsunaga;H. Miyamoto