Different Behavior in Immersion Plating of Nickel onto Porous Silicon from Acidic and Alkaline Fluoride Media
Different Behavior in Immersion Plating of Nickel onto Porous Silicon from Acidic and Alkaline Fluoride Media
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酸性和碱性氟化物介质中多孔硅浸镀镍的不同行为
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.H.Ogata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F.A.Harraz;J.Sasano;T.Sakka;Y.H.Ogata
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影响因子：
3.9
作者：
S. Ye;Taro Inchihara;K. Uosaki
通讯作者：
S. Ye;Taro Inchihara;K. Uosaki
DOI：
10.1007/978-1-4613-3144-5
发表时间：
1980-11
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Morrison
通讯作者：
S. Morrison
影响因子：
4
作者：
P. Allongue;C. D. Villeneuve;L. Pinsard;M. Bernard
通讯作者：
M. Bernard
电沉积金对 III-V 族半导体电极性能的影响 - 第 2 部分：p-GaAs 电极上金相关表面态引起的阻抗研究
影响因子：
6.6
作者：
G. Oskam;D. Vanmaekelbergh;J. Kelly
通讯作者：
J. Kelly
多孔硅的氧化及其氧化膜的性能
影响因子：
1.5
作者：
T. Unagami
通讯作者：
T. Unagami