Polymorphism in the ferromagnetic GaCrN-dilute magnetic semiconductor : Luminescence and structural investigations
Polymorphism in the ferromagnetic GaCrN-dilute magnetic semiconductor : Luminescence and structural investigations
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铁磁 GaCrN 稀磁半导体的多态性：发光和结构研究
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Shanthi 他11名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Kasai;J.Yanagisawa;H.Tanaka;S.Hasegawa;H.Asahi;K.Gamo;Y.Akasaka;S.Shanthi 他11名
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Cr 掺杂 GaN 中的强局域激子发光
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Appl.Phys.Lett. 86
影响因子：
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作者：
S.Shanthi;M.Hashimoto;Y.K.Zhou;S.Kimura;S.Emura;S.Hasegawa;N.Hasuike;H.Harima;H.Asahi
通讯作者：
H.Asahi
影响因子：
4
作者：
H. Okumura;S. Yoshida;T. Okahisa
通讯作者：
H. Okumura;S. Yoshida;T. Okahisa
6H-SiC 上生长的 Mn/GaN 多层薄膜中立方 GaN 的形成（0001）
影响因子：
4
作者：
Y. Cui;V. K. Lazorov;M. Goetz;H. Liu;D. Robertson;M. Gajdardziska;Lian Li
通讯作者：
Lian Li
(Ga,Mn)N 分子束外延
影响因子：
1.8
作者：
T. Kondo;S. Kuwabara;H. Ôwa;H. Munekata
通讯作者：
H. Munekata
影响因子：
4
作者：
Yang Zhao;C. Tu;I. Bae;T. Seong
通讯作者：
T. Seong