X帯民生GaN HEMTを用いた搭載用固体電力増幅器の動作条件によるRF特性と宇宙環境耐性評価
X帯民生GaN HEMTを用いた搭載用固体電力増幅器の動作条件によるRF特性と宇宙環境耐性評価
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基于使用 X 波段消费级 GaN HEMT 的板载固态功率放大器的工作条件评估射频特性和空间环境耐受性
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小林雄太，山本善一，川崎繁男
中科院分区：
文献类型：
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作者：
UENO;Michio; TSUKADA;Yoshiaki;金鍾鉉;小林雄太，山本善一，川崎繁男
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用于 S 波段高功率应用的 kW 级 AlGaN/GaN HEMT 托盘放大器
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
European Microwave Integrated Circuits Conference
影响因子：
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作者：
E. Mitani;M. Aojima;S. Sano
通讯作者：
S. Sano
GaN%20HEMT%20PA%20with%20over%2084%%20power%20add%20效率
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Roberg;J. Hoversten;Z. Popovic
通讯作者：
Z. Popovic
DOI：
10.1109/tdmr.2010.2072507
发表时间：
2010-12-01
影响因子：
2
作者：
Maier, David;Alomari, Mohammed;Kohn, Erhard
通讯作者：
Kohn, Erhard
商用 GaN 器件的辐射特性
DOI：
10.1109/redw.2010.6062526
发表时间：
2010
期刊：
2011 IEEE Radiation Effects Data Workshop
影响因子：
--
作者：
Richard D. Harris;L. Scheick;J. Hoffman;T. Thrivikraman;M. Jenabi;Y. Gim;T. Miyahira
通讯作者：
T. Miyahira