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Deposition and Characterization of Novel Spin Dependent Tunneling Junctions

Deposition and Characterization of Novel Spin Dependent Tunneling Junctions
新型自旋相关隧道结的沉积和表征
批准号：
9700168
负责人：
Shan Wang
金额：
$22.1万
依托单位：
Stanford University
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1997
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1997-06-01 至 2000-05-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9700168&HistoricalAwards=false
关键词：
DepositionCharacterizationNovelSpinDependent

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
9700168王的研究人员将研究由绝缘势垒层隔开的两个铁磁电极层组成的自旋相关隧道结。我们将研究由Heusler合金制成的这种结的生长、结构和性能。这些设备在磁性RAM、传感器和记录头方面具有巨大的技术潜力。***
英文摘要
9700168 Wang Researchers will study spin dependent tunnelling junctions consisting of two ferromagnetic electrode layers separated by an insulating barrier layer. The growth, structure and performance of such junctions fabricated from Heusler alloys will be investigated. These devices have significant technological potential in magentic RAM, sensors and recording heads. ***
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  • 批准号：
    2345655
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $100.0万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    Shan Wang
  • 依托单位：
    Stanford University
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    $55.0万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    Shan Wang
  • 依托单位：
    Stanford University
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  • 财政年份：
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  • 负责人：
    Shan Wang
  • 依托单位：
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