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Optical and Far Infrared Studies of Semiconductor Heterostructures

Optical and Far Infrared Studies of Semiconductor Heterostructures
半导体异质结构的光学和远红外研究
批准号:
9705064
负责人:
Margaret Dobrowolska
金额:
$30.0万
依托单位:
依托单位国家:
美国
项目类别:
Standard Grant
财政年份:
1997
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
1997-08-15 至 2001-07-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
这是对半导体异质结构研究的一个更新的建议。分子束外延(MBE)将用于制造三种新的半导体系统:II-VI自组装量子点(QDs);稀释磁性III-V半导体;II- VI型半导体微腔。自组装量子点项目将重点研究在ZnSe上生长的CdSe量子点。III-V型磁性体系的形成将通过MBE生长III-V型化合物和锰硫族化合物(如MnTe)的固溶体来尝试。最后,II-VI微腔的制备将重点放在ZnSe/ZnCdSe量子阱结构的分布式Bragg反射器的MBE制备上。上述系统将通过光致发光光谱、光吸收和磁光方法进行研究。这三个项目都涉及与半导体异质结构光电应用相关的基本问题。这是对半导体异质结构研究的一个更新建议。薄膜系统由不同半导体(异质结构)的交替层组成,在技术上重要的器件中起着关键作用,如发光二极管、半导体激光器和传感器。分子束外延是一种形成这种多层膜的方法,具有前所未有的原子尺度的完美性。目前的项目将把这种方法应用到三个新的领域:在三个方向上形成100个原子规模的半导体结构(“量子点”);技术上重要的磁性半导体的形成,其特性可以随着磁场的变化而变化;“微腔”的制造对蓝光发射器的工作具有直接的重要性。这些系统的光学研究有望为新的光电应用铺平道路。* * *
英文摘要
9705064 Dobrowolska This is a renewal proposal to study semiconductor heterostructures. Molecular beam epitaxy (MBE) will be used to fabricate three new semiconductor systems: II-VI self-assembled quantum dots (QDs); diluted magnetic III-V semiconductors; and II- VI semiconductor microcavities. The self-assembled QD project will focus on investigation of CdSe QDs grown on ZnSe. Formation of III-V magnetic systems will be attempted by MBE growth of solid solutions of III-V compounds and Mn chalcogenides (e.g., MnTe). Finally, fabrication of II-VI microcavities will focus on MBE fabrication of distributed Bragg reflectors for ZnSe/ZnCdSe quantum well structures. The above systems will be investigated by photoluminescence spectroscopy, optical absorption, and magneto-optical methods. All three projects address fundamental issues relevant to optoelectronic applications of semiconductor heterostructures. %%% This is a renewal proposal to study semiconductor heterostructures. Thin film systems consisting of alternating layers of dissimilar semiconductors ("heterostructures") play a critical role in technologically important devices, such as light emitting diodes, semiconductor lasers, and sensors. Molecular beam epitaxy is a method of forming such multilayers with unprecedented atomic-scale perfection. The present project will apply this method to three new frontiers: the formation of semiconductor structures on the scale of 100 atoms in all three directions ("quantum dots"); the formation of technologically important magnetic semiconductors whose properties can be varied by magnetic field; and fabrication of "microcavities" of immediate importance to the operation of blue light emitters. Optical studies of these systems are expected to pave the way toward new optoelectronic applications. ***
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会议论文
Electron Spin Effects in Semiconductor Nanostructures
  • 批准号:
    1400432
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $47.33万
  • 财政年份:
    2014
  • 负责人:
    Margaret Dobrowolska
  • 依托单位:
Electron Spin Effects in Semiconductor Nanostructures
  • 批准号:
    1005851
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 资助金额:
    $60.0万
  • 财政年份:
    2010
  • 负责人:
    Margaret Dobrowolska
  • 依托单位:
Electron Spin Effects in Semiconductor Nanostructures
  • 批准号:
    0603752
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 资助金额:
    $48.0万
  • 财政年份:
    2006
  • 负责人:
    Margaret Dobrowolska
  • 依托单位:
Electron Spin Effects in Semiconductor Nanostructures
  • 批准号:
    0245227
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 资助金额:
    $33.18万
  • 财政年份:
    2003
  • 负责人:
    Margaret Dobrowolska
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
外分泌蛋白FAR-1调节寄生线虫发育的作用机制研究
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    15.0万元
  • 批准年份:
    2024
  • 负责人:
    元冬娟
  • 依托单位:
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    32302345
  • 项目类别:
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  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
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  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
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  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    地区科学基金项目
  • 资助金额:
    32万元
  • 批准年份:
    2022
  • 负责人:
    彭吾训
  • 依托单位: