SBIR Phase I: Miniaturized High Voltage Thin Film Capacitors
SBIR Phase I: Miniaturized High Voltage Thin Film Capacitors
批准号:
0109291
负责人:
David Nelms
金额:
$10.0万
依托单位国家:
美国
项目类别:
Standard Grant
财政年份:
2001
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
2001-07-01 至 2001-12-31
中文摘要
该小型企业创新研究(SBIR)第一阶段项目将展示使用在Kapton薄膜和钽箔上制备的叠层薄膜五氧化二钽电容器制造小批量、低寄生(即低串联电阻和电感)、高能量密度电容器的可行性。低阻电容器将缩短充电和放电时间,并降低电池或电源上的阻性负载。低电感在高压系统中也很重要。电源的二次绕组具有高变化率和多匝数,这会导致高漏感。因此,必须减小电容电感,以降低系统总电感,最终提高功率利用率和系统效率。许多高功率系统被用于医疗、国防、空间和消费电子行业,这些行业需要大幅减小尺寸和重量,提高速度和性能。用于形成电容器电介质的特殊阳极氧化技术将允许制造具有多种高性能配置和特性的电容器,这些配置和特性有望使所有这些工业市场受益。小型化、高能量密度的薄膜电容器用于许多大功率设备,如除颤器、直流电源和汽车电子产品。
英文摘要
This Small Business Innovation Research (SBIR) Phase I project will demonstrate the feasibility of fabricating low volume, low parasitic, i.e., low series resistance and inductance, high energy density capacitors using stacked, thin-film tantalum pentoxide dielectrics fabricated on Kapton film and tantalum foil. Low resistance capacitors will shorten both charge and discharge time, as well as lower the resistive load on the battery or power source. Low inductance is also important in high voltage systems. Power supplies have high transformation ratios with many turns for secondary windings that induce high leakage inductance. Therefore, capacitor inductance must be minimized in order to reduce the total system inductance, ultimately improving power usage factors and system efficiency. Numerous high power systems are used in the medical, defense, space, and consumer electronics industries, where substantial reduction in size and weight and increased speed and performance are desired. Special anodization techniques used to form capacitor dielectrics will allow fabrication of capacitors with a wide range of high performance configurations and characteristics that are expected to benefit all of these industrial markets. Miniaturized, high energy density thin-film capacitors are used in many high power devices, such as defibrillators, DC power supplies, and automotive electronics.
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会议论文
SBIR Phase I: Low Temperature Formation of Polycrystalline Ferroelectric BaTiO3 Thin Films
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批准号:0060082
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项目类别:Standard Grant
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资助金额:$9.73万
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财政年份:2001
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负责人:David Nelms
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依托单位:
STTR Phase I: Integral Resistors for High Peformance Applications
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批准号:9960117
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项目类别:Standard Grant
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资助金额:$10.0万
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财政年份:2000
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负责人:David Nelms
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依托单位:
国内基金
海外基金
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