Steuerung von Ladungsträgerdynamik in SOI-Wellenleitern mittels BICMOS-Technologie

我的项目是Anwendbarkeit von IC-Technologien für Electrktronisch-Phoonische集成和制造技术。他说：“我不会给你任何东西，我不会给你任何东西。从植入、外延、摘除等技术集成商的角度来看，这是一项非常重要的技术。它是一种现代的、合格的BiCMOS-Linie和IHP。我们的合作伙伴是澳大利亚的大学，研究机构和工厂，其中包括最小规模的Strukturgröber和0.13μm，以及200 mm的衬底。在Verwendung von 248 nm下的Umsetzung von SOI-Wellenleiterentwürfen下的基础上的Arbeiten和Die Umsetzung von SOI-Wellenleiterentwürfen(Deep-UV Order DUV)。Da die type ischen kleinsten Strukturgröüen(Critical Dimensions，CD)für Optische Bauelemente(Wellenleiter，Gitter，Koppler等)Im Bereich 100-200 nm liegen and die geumesen stark von Electrktronischen Anwendungen abweichen，Sind hier Untersuhugen für die Ver-fahrensweise im MaskenLayout optischer Strukturen notwenDigit(Inbe Besondere die Optischer Strukturen notwendig.)(不符合光学邻近校正，OPC)。Ebenso Muss in Hinblick auf Minimale Optische Verluste Optimiert是最好的技术解决方案。这是一张最好的照片(248 Nm)für SOI Wellenleiter zu valuieren，da die Anforderungen im Vergleich zur IC Standardology sehr verschieden sind.德国理工学院和德国联邦理工学院在柏林和德国开展了一项新的合作项目，并在此基础上提供了国际水文计划的专业知识。在Zusammenarbeit有Bauelemente zum Studium von Ladungsträgereffekten realisiert，Wie z.B.Einfache Wellenleiter，Ringer，Interfereter Order Laserstrukturen。下一步是IHP的一项新工作，这是一项重要的工作，因为它是一项重要的工作，它将所有的工作都整合在一起。在Forschergruppe中，Ladungsträgereffekte Charakterisiert和KorrelationMIT Prozessabläufen and参数Hersterellt是唯一的特征。

Im Projekt soll die Anwendbarkeit von IC-Technologien für elektronisch-photonische Integration und Fabrikation untersucht werden. Dabei steht die Steuerbarkeit von optischen Eigenschaften siliziumphotonischer Strukturen (insbesondere von Wellenleitern) mittels Ladungsträgerdynamik im Mittelpunkt der Arbeiten. Die Ladungsträgerdynamik (Ladungsträgerlebensdauer und Konzentration) soll mit-tels vielfältiger, in der Technologie integrierter Schaltungen angewandter Techniken (Implantation, Epitaxie, Gettering etc) beeinflusst werden. Die Untersuchungen erfolgen in einer modernen, qualifizierten BiCMOS-Linie am IHP. Die dort auch für Partner aus Universitäten, Forschungsinstituten und Firmen zur Verfügung gestellten IC-Technologien verfügen über minimale Strukturgrößen von 0.13μm und werden auf 200mm Substraten gefertigt. Basis für die Arbeiten ist die Umsetzung von SOI-Wellenleiterentwürfen unter Verwendung von 248nm-Lithografietechniken (Deep-UV oder DUV). Da die typischen kleinsten Strukturgrößen (Critical Dimensions, CD) für optische Bauelemente (Wellenleiter, Gitter, Koppler etc.) im Bereich 100-200 nm liegen und die Geometrien stark von elektronischen Anwendungen abweichen, sind hier Untersuchungen für die Ver-fahrensweise im Maskenlayout optischer Strukturen notwendig (insbesondere die Optical-Proximity Correction, OPC). Ebenso muss die Ätztechnologie im Hinblick auf minimale optische Verluste optimiert werden. Ein Ziel dabei ist, die Grenzen der optischen Lithografie (248 nm) für SOI Wellenleiter zu evaluieren, da die Anforderungen im Vergleich zur IC Standardtechnologie sehr verschieden sind. Die Kooperation mit dem Teilprojekt PB an der TU Berlin und anderen Teilprojekten der Forschergruppe ist dabei von zentraler Bedeutung, da optische Expertise im erforderlichen Umfang nicht am IHP vorhanden ist. In Zusammenarbeit werden die Bauelemente zum Studium von Ladungsträgereffekten realisiert, wie z.B. einfache Wellenleiter, Ringe, Interferometer oder Laserstrukturen. Die Untersuchungen am IHP konzentrieren sich auf die Realisierung solcher Bauelemente und die Prozessintegration in die entsprechenden Teilschrittmodule. In der Forschergruppe werden dann die Ladungsträgereffekte charakterisiert und die Korrelation mit Prozessabläufen und Parametern hergestellt.