Ionischer Transport in inneren Grenzflächen - Korrelation zwischen Grenzflächenstruktur und Transporteigenschaften

离子和扩散在格伦兹弗尔陈zwichen ionischen feststoffen sind bis height kaum verstanden。在他的文学作品中，我发现了维格利希·扎姆·维尼格·阿贝腾的作品。死在格伦兹弗莱陈和史塔克的交通运输项目中经常会出现在Ausbildung von Raumladungszonen Erklärt。在格伦兹弗勒的国家和地区，所有的国家和地区都是这样的。在金属轧辊中扩散的类似物Beschreibung der Korngrenzed。在这项技术中，我们将在布伦斯托夫泽伦和电池制造商之间建立一个模型，并在此基础上建立一个新的系统。在Arbeit soll l a Multischichtsystem en Aus einem Extrinsischen Ionenleiter and einem Isolator Isolator Tracers Differsion Sessungen der Messungen der Ionischen Leitfähigkeit以及Funktion der Gitterfehlpassung bzw.der Kristallogischen Orientierung dchgeführt Werden中。Das Verfügbaar DatenMaterial soll stark erweitert den，um eine Solid base für ein Neues Model zum Grizflächentry Transport zwitchen kristallinen ion ischen feststoffen zu schaffen.这是一种结构和几何定义，它是一种结构和结构，是一种结构和结构。这是一种新的技术和技术，也是一种新的技术和技术，也是最先进的技术。

Ionenleitung und Diffusion in Grenzflächen zwischen ionischen Feststoffen sind bis heute kaum verstanden. In der Literatur findet man im Vergleich zum Volumentransport viel weniger Arbeiten. Die in Grenzflächen häufig stark beschleunigten Transportprozesse werden oft durch die Ausbildung von Raumladungszonen erklärt. Der Einfluss von elastischen Spannungen in der Grenzfläche, Versetzungsnetzwerken und verringerten Packungsdichten wird nur in wenigen Arbeiten berücksichtigt. Die Grenzflächenstruktur spielt aber bei der analogen Beschreibung der Korngrenzdiffusion in Metallen eine wichtige Rolle. In den technisch wichtigen keramischen Materialien, die als Ionenleiter in Brennstoffzellen und Batteriesystemen eingesetzt werden, sind Raumladungsmodelle aufgrund der hohen Ladungsträgerkonzentrationen nicht mehr anwendbar. In dieser Arbeit soll an Multischichtsystemen aus einem extrinsischen Ionenleiter und einem Isolator Tracerdiffusionsmessungen und Messungen der ionischen Leitfähigkeit als Funktion der Gitterfehlpassung bzw. der kristallographischen Orientierung durchgeführt werden. Das verfügbare Datenmaterial soll stark erweitert werden, um so eine solide Basis für ein neues Model zum Grenzflächentransport zwischen kristallinen ionischen Feststoffen zu schaffen. Voraussetzung ist das Vorliegen von Messdaten, die an strukturell vergleichbaren und geometrisch definierten Modellsystemen gewonnen wurden, was nur durch Messungen an hochtexturierten Schichtsystemen zu erreichen ist. Die zweite wichtige Aufgabe ist die Klärung der Frage, ob in Systemen mit einigen Nanometer dicken Schichten auch bei eigentlich elektronisch isolierenden Materialien die elektronische Leitung im grenzflächennahen Bereich zunimmt.