Elektronenkonfiguration, Koordination und Reaktivität von Fe-Ionen an Grenzflächen von modifizierten Sulfidhalbleitern

[das vorliegende ergänzungs-bzw.de berbrück ungsvorhaben soll einen Bisher unbeiteten and wesentlicen teil der Projektaufgabe，d.H.veränderungen in einphasigen and kristallisierten cu-in-in-chenzungs-Schichten(CIS-Schichten)Das vorliegende Ergänzungs-BZW.de berberbrücungsvorhaben soll einen Bisher unbeiten and wesentlicen teil der Projektaufgabe，d.H.veränderungen in Einphasigen and Kristallisierten Cu-in-in-End-Schichten(CIS-Schichten)Das vliegende Ergünzungs-BZW.Soll einen Bisher Unbebeeten and Wesentliclicen teil der Projektaufgabe，d.H.veränderungen in einen FortsetzungsSantrag lifern.这是一种新型的电化学法和电化学法，它能在温度下恢复硫化物的温度，从而使晶态的晶态和铁的晶态结构发生变化。从扩散和发展到铁原子的扩散和扩散，再到最好的扩散和扩散，再到最好的温度和最好的温度，这些都是最好的办法。这是一种新的电化学法和电化学法。大北是一种特殊的地热相，它的温度为1090°C。这句话的意思是：“我不知道该怎么做。”在300摄氏度的尊贵之地，所有的一切都是从物质上升华到300℃左右。这是一种类似于Verbindungen的Verbindungen Wie CusSg MIT Spinell Struktur.BegrünDet Get groées Interesse，eine Methode der Schichtabscheidung von CuInsSg zu entwickeln，auf Erfahrungen der Badabscheidung von CIS im Rahman dieses Projekts beruht.这是一个非常重要的问题，因为它是Einphasigkeit和reguläre STöchitome der abgeschiedenen Schichten garantiert and die Kristallqualität veressert。我是一名真正的中介人，也是一名受影响的人。这是一件非常重要的事情，因为这件事的定义很复杂。Sowie ab Ende 9月zur Verfügung stehenden analytischen Methoden(SEM，FIB/EDX，EBSD)unfassend charakterisiert

Das vorliegende Ergänzungs- bzw. Überbrückungsvorhaben soll einen bisher unbearbeiteten und wesentlichen Teil der Projektaufgabe, d. h. Veränderungen in einphasigen und kristallisierten Cu-In-S-Schichten (CIS-Schichten) durch Fe-Ionen nachweisen und damit Untersuchungsergebnisse für einen Fortsetzungsantrag liefern. Hierzu sollen die mit elektrochemischen und anderen reaktiven Verfahren erfolgreich hergestellten Reinstsulfide bei hohen Temperaturen in Inertgas- sowie Gleichgewichtsatmosphäre in einphasige kristalline Schichten verwandelt und mit aufgedampften Fe-Schichten modifiziert werden. Ziel ist die Aufklärung von Auswirkungen der Diffusion und Reaktion von Fe-Atomen an der Grenzfläche zu stöchiometrisch perfekten einphasigen und kristallinen Cu-In-S-Schichten, die mit einer zu optimierenden Tempermethode herzustellen sind. Wie die bisherigen Untersuchungen zeigen, können stöchiometrische CIS-Schichten elektrochemisch abgeschieden werden. Dabei ist die Beweglichkeit von Spezies in der festen Phase wegen der niedrigen Temperatur der Badabscheidung (vgl. Schmelzpunkt von CIS bei ~1090°C) gering. Durch eine Hochtemperatur-Nachbehandlung kann die Kristallqualität verbessert werden. Eine solche Nachbehandlung im Vakuum macht die Vorteile der simultanen Abscheidung bezüglich der Erhaltung der Stöchiometrie durch Zersetzung und Sublimation von In-S-Material bereits ab 300 °C zunichte. Besonders ausgeprägt ist diese Erscheinung auch bei der Abscheidung von In-reichen Phasen von CIS-analogen Verbindungen wie CuInsSg mit Spinell Struktur. Der Erfolg von optoelektronischen Bauelementen aus Material mit Spinellstruktur (außerhalb dieses Projekts bearbeitet) begründet großes Interesse, eine Methode der Schichtabscheidung von CuInsSg zu entwickeln, die auf Erfahrungen der Badabscheidung von CIS im Rahmen dieses Projekts beruht. Hierzu ist ein Vorgehen erforderlich, das Einphasigkeit und reguläre Stöchiometrie der abgeschiedenen Schichten garantiert und die Kristallqualität verbessert. Im Rahmen dieses Ergänzungsprojekts soll das durch Tempern der Schicht vor allem in reaktiven Medien erreicht werden, die das Gleichgewicht der Zersetzungsreaktion beeinflussen. Dabei wird der Gleichgewichts-Dampfdruck über der Schicht durch in die evakuierte Ampulle eingebrachtes Pulver von CIS (bzw. CuhisSs) definiert. Die abgeschiedenen Schichten werden mit Hilfe von bereits vorhandenen (RFA, EDX, XRD) sowie ab Ende September zur Verfügung stehenden analytischen Methoden (SEM, FIB/EDX, EBSD) umfassend charakterisiert.