Nanostrukturierung von ionenstrahlsynthestisierten Si-C-N-Oberflächenschichten nach Elektronenstrahltemperung

Im Rahmen dieses Forschungsstipendiums soll die Nanostrukturierung der Oberfläche von dünnen Si-C-N-Oberflächenschichten nach einer Hochtemperaturbehandlung untersucht韦尔登.硅-C-N-Oberflächenschichten与untermeedlichen Zusammensetzungen sollen mittels Ionenimplantation von Cionen and N-Ionen in Silicium-Wafermaterial with Ionenenergien bis 30 keV hergestellt韦尔登和anschließend einer Hochtemperaturbehandlung im Hochvakuum durch Elektronenstrahltemperung unterzogen韦尔登. Die Elektronenstrahltemperung von unimplantiertem Si-Wafermaterial führt zu einer Strukturierung der Oberfläche in Form von dünnen Si-Nadeln（sog.纳米晶须），他们在上面。硅纳米晶须的电子束注入法可以使硅纳米晶须的表面形貌和韦尔登的吸收率得到改善，而硅纳米晶须探针的测量结果则是最好的。硅晶片材料的碳离子注入，使碳化硅纳米晶（λ =100- 300 nm）在表面生长。在这一研究项目中，有一个名叫科伦斯托夫的元素，它是一种教育材料。Verhinderung der versedenen Si-Oberflächenstrukturierungen spielen，an Hand von Si-C-NOberflächenschichten untersucht韦尔登.这是一种韦尔登，通过回火处理结构的方法，在硅化物的表面上形成一种良好的工艺。

Im Rahmen dieses Forschungsstipendiums soll die Nanostrukturierung der Oberfläche von dünnen Si-C-N-Oberflächenschichten nach einer Hochtemperaturbehandlung untersucht werden. Die Si-C-N-Oberflächenschichten mit unterschiedlichen Zusammensetzungen sollen mittels Ionenimplantation von CIonen und N-Ionen in Silicium-Wafermaterial mit Ionenenergien bis 30keV hergestellt werden und anschließend einer Hochtemperaturbehandlung im Hochvakuum durch Elektronenstrahltemperung unterzogen werden. Die Elektronenstrahltemperung von unimplantiertem Si-Wafermaterial führt zu einer Strukturierung der Oberfläche in Form von dünnen Si-Nadeln (sog. Nanowhisker), die auf der Oberfläche stehen. Die Implantation des Siliciums mit N-Ionen vor der Elektronenstrahltemperung verhindert bei ausreichend hoher Anzahl implantierter Ionen pro Flächeneinheit das Wachstum der Si-Nanowhisker und kann dazu benutzt werden, um nur in bestimmten Bereichen der Probe Si-Nanowhisker zu erzeugen. Implantiert man das Si-Wafermaterial dagegen mit C-Ionen, so bilden sich kugelförmige Siliciumcarbid-Nanokristalle (Ø=100-300nm) auf der Oberfläche. In diesem Forschungsprojekt soll die Rolle, die die beiden Elemente Kohlenstoff, Stickstoff bei der Bildung bzw. Verhinderung der verschiedenen Si-Oberflächenstrukturierungen spielen, an Hand von Si-C-NOberflächenschichten untersucht werden. Es soll geklärt werden, ob und in welcher Art die Oberfläche des implantierten Siliciums durch den Temperprozess strukturiert wird.