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Fabrication and Characterization of High-density Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dot for Light Emission

Fabrication and Characterization of High-density Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dot for Light Emission
高密度类超原子Ge核/Si壳发光量子点的制备与表征
批准号：
19H00762
负责人：
Makihara Katsunori
金额：
$28.79万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H00762/
关键词：
量子ドットコアシェル発光デバイスSi量子ドットコア／シェル構造CVDコア／シェルSi系量子ドットスーパーアトム

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Light-emission Properties of High-density Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dots
高密度类超原子Ge核/Si壳量子点的发光特性
DOI： --
发表时间： 2023
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Makihara, Y. Yamamoto, Y. Imai, N. Taoka, M. A. Schubert, B. Tillack, and S. Miyazaki]
通讯作者： and S. Miyazaki
Al/Si(111)構造の平坦性および結晶性制御と偏析による極薄Si層形成
通过控制Al/Si(111)结构的平坦度和结晶度以及偏析形成超薄Si层
DOI： --
发表时间： 2023
期刊：
影响因子： --
作者： [酒井 大希, 大田 晃生, 松下 圭吾, 田岡 紀之, 牧原 克典, 宮﨑 誠一]
通讯作者： 宮﨑 誠一
SiO2上に形成したニッケルシリサイド薄膜の膜厚が表面形態・結晶相へ与える影響
SiO2上硅化镍薄膜膜厚对表面形貌和晶相的影响
DOI： --
发表时间： 2023
期刊：
影响因子： --
作者： [木村 圭佑, 田岡 紀之, 西村 駿介, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮﨑 誠一]
通讯作者： 宮﨑 誠一
Alignment Control of Si-based Quantum Dots
硅基量子点的取向控制
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Imai, K. Makihara, N. Taoka, and S. Miyazaki]
通讯作者： and S. Miyazaki
共 136 条
    Formation of Valency Controlled Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure and Its Application to Functional Devices
    • 批准号：
      17K18877
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Makihara Katsunori
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Formation of Fe-based Hybrid-Nanodots and Their Magnetoelectronic Transport Properties
    • 批准号：
      16H06083
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $15.89万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Makihara Katsunori
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Control of carrier transport properties of one-dimensionally aligned-hybrid nanodots and their application to light emitting devices
    • 批准号：
      25709023
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $15.89万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Makihara Katsunori
    • 依托单位：
      Nagoya University
    海外基金