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Anlage zum selektiven Laserschmelzen

Anlage zum selektiven Laserschmelzen
选择性激光熔化系统
批准号:
346979276
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2017
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2016-12-31 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
Am Institut für Werkstofftechnik,Fachgebiet Metallische Werkstoffe soll der Forschungsschwerpunkt Prozess-Mikrostruktur-Eigenschaftswechselenkungen in der additiven Fertigung gestärkt韦尔登.在工厂里有一个选择性的电子束源。但这是一个非常漂亮的小女孩,她在一个充满活力的地方买了一件衣服。该过程可以由电子束过程来完成,并对微结构的发展产生影响,从而产生研究的固有机制。Es muss die Möglichkeit bestehen,den Bauraum an die verfügbaren Pulvermengen und Bauteilgrößen anzupassen und unter Schutzgas zu bauen.如果要将工艺过程中产生的特征值进行调整,则需要将温度调整到500 °C。最后,材料效率中心和一些小的光纤光栅结构仅仅是一个带有高斯-Strahlprofil möglich的激光器。Gleichzeitig must in der Anlage jedoh an Laser hoher Leistungsklasse mit Top-Hat-Profil vorden sein um ein direktes Mikrostrukturdesign in greßvolumigen Bauteilen zu ermöglichen.在Bauprozess的韦尔登测试中,必须使用一个小的梯度探头。
英文摘要
Am Institut für Werkstofftechnik, Fachgebiet Metallische Werkstoffe soll der Forschungsschwerpunkt Prozess-Mikrostruktur-Eigenschaftswechselwirkungen in der additiven Fertigung gestärkt werden. Im Fachgebiet ist bereits eine Anlage zum selektiven Elektronenstrahlschmelzen vorhanden. Über die zu beschaffende Anlage sollen in ähnlicher Weise endkonturnahe Bauteile im Pulverbett herstellbar sein. Die Strahlquelle sowie die Prozessbedingungen sollen sich jedoch vom Elektronenstrahlprozess unterscheiden, um gerade den Einfluss auf die mikrostrukturelle Entwicklung sowie die resultierenden mechanischen Eigenschaften zu erforschen. Es muss die Möglichkeit bestehen, den Bauraum an die verfügbaren Pulvermengen und Bauteilgrößen anzupassen und unter Schutzgas zu bauen. Zur gezielten Nutzung von prozessinduzierten Eigenspannungen soll die Anlage mit einer Bauraumheizung ausgestattet sein, die Temperaturen bis zu mindestens 500 °C erlaubt. Die Herstellung lastoptimierter, materialeffizienter und somit leichtbauender filigraner Gitterstrukturen ist nur über den Einsatz einer Laserquelle mit Gauß-Strahlprofil möglich. Gleichzeitig muss in der Anlage jedoch ein Laser hoher Leistungsklasse mit Top-Hat-Profil vorhanden sein um ein direktes Mikrostrukturdesign in großvolumigen Bauteilen zu ermöglichen. Zur Herstellung mikrostrukturell gradierter Proben muss uneingeschränkt zwischen den beiden Laserquellen im Bauprozess geschaltet werden können.
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