Molekularstrahlepitaxie-Anlage für Halbleiter-Filme (Halbleiter MBE)

1 . Die arbeitgrouppe des tragstellers bebeitgrouppe des tragstellers bebeitgrouppe der Herstellung and Untersuchung von ultradnnen， epitaktisch gewachsenen吸附膜（hableitersubstrate）， von Submonolagenbedeckungen他zu Filmdicken in Bereich von einigen 10 nm。Das wissenschaftliche Interesse ricet sich dabei inbesonere auf die ungewöhnlichen电子学特征schaften von 1D Atomketten，二维电子学特征schaften mitstarken电子学相关性和拓扑隔离电子学mithiren speziellen Randzuständen。另外，experimentelle Methoden werden hierf<s:1> r hauptsächlich die winkelaufgelöste光电子光谱（ARPES） sowie die rastertunnelmikroskie and - spektroskie (STM/STS) verwendet。Aufgrund ihres intrinsic chen Oberflächencharakters m<s:1> ssen alle genannten film system in situ (d.h. vollständig unter Ultrahochvakuumbedingungen) hergestellt and untersucht werden。Die momentan zur verfgung stehenden Präparationsmöglichkeiten kommen allerdings hinsichtlich der Qualität des epitaktischen Wachstums and auche effizienten Probendurchsatzes and ihre Grenzen。Aus diesem Grund soline neue dedizierte，最先进的超高压分析技术（MBE） beschafft werden, die die bisherigen Begrenzungen berwindet und stark verbesserte Forschungsmöglichkeiten eröffnet。

Die Arbeitsgruppe des Antragstellers befasst sich mit der Herstellung und Untersuchung von ultradünnen, epitaktisch gewachsenen Adsorbatfilmen auf Halbleitersubstraten, von Submonolagenbedeckungen bis zu Filmdicken im Bereich von einigen 10 nm. Das wissenschaftliche Interesse richtet sich dabei insbesondere auf die ungewöhnlichen elektronischen Eigenschaften von 1D Atomketten, 2D Dreiecksgittern mit starken elektronischen Korrelationen und topologischen Isolatoren mit ihren speziellen Randzuständen. Als experimentelle Methoden werden hierfür hauptsächlich die winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie (ARPES) sowie die Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie (STM/STS) verwendet. Aufgrund ihres intrinsischen Oberflächencharakters müssen alle genannten Filmsysteme in situ (d.h. vollständig unter Ultrahochvakuumbedingungen) hergestellt und untersucht werden. Die momentan zur Verfügung stehenden Präparationsmöglichkeiten kommen allerdings hinsichtlich der Qualität des epitaktischen Wachstums und auch des effizienten Probendurchsatzes an ihre Grenzen. Aus diesem Grund soll eine neue dedizierte, state-of-the-art UHV-Anlage für Molekularstrahlepitaxie (MBE) beschafft werden, die die bisherigen Begrenzungen überwindet und stark verbesserte Forschungsmöglichkeiten eröffnet.