Durch akustische Oberflächenwellen gesteuerte Manipulation von Quantenzuständen

在DEM Vorhaben soll de gezielte kontrolle von Electrktronischen quantzuständen in Ladungs-and Spquantenbitters das Dynamisisch Induzierte Pterelektrische Potential akustischer Oberflächenwell en en f Halbliterschichtsystem en untersusuht das Dynamisisch Induzierte Pterelektrische Potential akustischer or ff Halbleiterschichtsystem en untersusuht den.在GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen中的Herstellung einzelner和gekopputer quanpenkte将在柴油系统中获得最好的性能，更好的性能。在Ladungs-and Spquantenbit soll die Möglichkeit der Detektion der Elektronenaufenthaltswahrscheinlichkeitüberprüft中，我们详细地了解了Ladungs-and Spquantenbit soll die Möglichkeit de Detektion der Elektronenaufenthaltswahrscheinlichkeitüberprüft中的所有操作。

In dem Vorhaben soll die gezielte Kontrolle von elektronischen Quantenzuständen in Ladungs- und Spinquantenbits durch das dynamisch induzierte piezoelektrische Potential akustischer Oberflächenwellen auf Halbleiterschichtsystemen untersucht werden. Die Herstellung einzelner und gekoppelter Quantenpunkte in GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen wird dahingehend optimiert, dass sich möglichst wenige Elektronen in diesen Systemen befinden. Neben der detaillierten Untersuchung von Oberflächenwellen – induzierten Quantenoperationen in Ladungs- und Spinquantenbits soll die Möglichkeit der Detektion der Elektronenaufenthaltswahrscheinlichkeit überprüft werden.