Development of crystal defect revelation technique for next-generation power semiconductor material Ga2O3
Development of crystal defect revelation technique for next-generation power semiconductor material Ga2O3
开发下一代功率半导体材料Ga2O3晶体缺陷揭示技术
批准号：
16K17516
负责人：
YAO YONGZHAO
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
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会议论文
Characterization of EFG-grown β-Ga2O3 single crystal by using Synchrotron X-ray topography, X-ray diffraction and Raman
使用同步加速器 X 射线形貌、X 射线衍射和拉曼表征 EFG 生长的 β-Ga2O3 单晶
使用同步加速器 X 射线形貌、X 射线衍射和拉曼表征 EFG 生长的 β-Ga2O3 单晶
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. N. K. Phan, K. Kato, K. Takano, M. Yoshimura, H. Azechi, M. Nakajima, 姚永昭]
通讯作者：
姚永昭
放射光X線トポグラフィ、X線回折およびラマンを用いたEFG法β-酸化ガリウム単結晶の評価
使用同步辐射 X 射线形貌、X 射线衍射和拉曼的 EFG 方法评价 β-氧化镓单晶
使用同步辐射 X 射线形貌、X 射线衍射和拉曼的 EFG 方法评价 β-氧化镓单晶
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[足立俊輔, S. Grebenshchikov, 佐藤元樹, 鈴木俊法, 姚永昭]
通讯作者：
姚永昭
2018年度JFCC研究成果集 (ポスターR10)
2018 年 JFCC 研究成果（海报 R10）
2018 年 JFCC 研究成果（海报 R10）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
国内基金
海外基金
镍基UNS N10003合金辐照位错环演化机制及其对力学性能的影响研究
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批准号：12375280
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项目类别：面上项目
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资助金额：53.00万元
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批准年份：2023
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负责人：黄鹤飞
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依托单位：
