Optimierte Submillimeterwellen-Bauelemente

在达姆施塔特，最好的亚毫米波-Bauelementen umfangreiche Herstellungsverfahren，die während der ersten Phase dieser Förderung zu neuen komplexeren Bauelementstrukturen führten。这是一次与该研究小组的合作。这些劳动者将在高级阶段完成韦尔登。Grundsätzlich kann die Perspektive für Anwendungen im Submillimeterbereich努尔durch die Integration von Bauelementen und Schaltungskomponenten erweitert韦尔登.新一代的刨削机，集成化的部件，是一种新的先进技术的进步和发展。研究小组的内部B层将该项目进行了升级，并对B、C和D层的项目进行了评估。In Rahmen des Forschungsvorhabens wird die beim Antragsteller entwickelte substrlose Schottky diode，die durch eine Minimierung der Diodenabmessung and durch eine effektive Wärmeske gegenüber bisherigen Bauforinen ein deutlich höheres Leistungspotenial besitzt，bezüglich der Anwendung als Varaktor and Varistor weiter optimiert. Aufgrund der bisher durchgeführten Arbeiten韦尔登登besonders Bauelemente zur weiterführden experimentellen Verfizierung der im Projektbereich C entwickelten Schaltungstechnik zur Verfügung stehen.通过对肖特基二极管衬底结构的改进，使B和C二极管的性能得到进一步提高。为了实现复杂性，集成二极管结构将具有一个技术上的优势。Neben Schottkydioden hat der Heterobarrierenvaraktor（HBV）eine gute Perspektive für den Einferials Frequenzvielfacher im Submillimeterwellen-Bereich gezeigt.因此，我们将对HBV进行定位，并对Gehäuseform weitergeführt和项目B und C进行优化。本文介绍了一种在C、D项目中通过新的频率控制实验实现异质结构韦尔登外延和封装的方法。

In Darmstadt bestehen bei Submillimeterwellen-Bauelementen umfangreiche Herstellungsverfahren, die während der ersten Phase dieser Förderung zu neuen komplexeren Bauelementstrukturen führten. Hierbei wurde eine enge Kooperation mit den Anwendem in dieser Forschergruppe gepflegt. Diese Arbeiten sollten in der hiermit beantragten Phase weitergeführt werden. Grundsätzlich kann die Perspektive für Anwendungen im Submillimeterbereich nur durch die Integration von Bauelementen und Schaltungskomponenten erweitert werden. Neben der Entwicklung planarer, integrierfähiger Bauelemente, ist eine wesentliche Aufgabe die Anpassung und Abstimmung der notwendigen Technologien an die Anforderungen der Anwender. Innerhalb der Forschergruppe hat dieses Teilprojekt die Aufgabe, leistungsstarke, an die Anforderungen der Teilprojekte B, C und D angepaßte Bauelemente bereitzustellen. Im Rahmen des Forschungsvorhabens wird die beim Antragsteller entwickelte substratlose Schottkydiode, die durch eine Minimierung der Diodenabmessung und durch eine effektive Wärmesenke gegenüber bisherigen Bauforinen ein deutlich höheres Leistungspotenial besitzt, bezüglich der Anwendung als Varaktor und Varistor weiter optimiert. Aufgrund der bisher durchgeführten Arbeiten werden hier besonders Bauelemente zur weiterführenden experimentellen Verfizierung der im Projektbereich C entwickelten Schaltungstechnik zur Verfügung stehen. Aus der Bauform der substratlosen Schottkydiode wird die Adaption der Struktur an die Spezifikation der im Projektbereich B und C entwickelten Diodenmounts fortgeführt. Zur Realisierung komplexen, integrierter Diodenstrukturen wird hierbei eine weitere Überarbeitung der Technologie erfordert. Neben Schottkydioden hat der Heterobarrierenvaraktor (HBV) eine gute Perspektive für den Einsatz als Frequenzvervielfacher im Submillimeterwellen-Bereich gezeigt. Hierbei wird die Herstellung planarer HBV und die Anpassung der Gehäuseform weitergeführt und für die Projektbereiche B und C optimierte Bauelemente bereitgestellt. Aufbauend auf beim Antragsteller vorhandene Erfahrung bei der Epitaxie und der Herstellung von Heterostruktur-Bauelementen werden in enger Kooperation mit den Projektbereichen C und D mit neuen Konzepten einer Frequenzvervielfachung experimentell realisiert.