Molekularstrahlepitaxie von III-Nitriden: Herstellung und Charakterisierung von GaN-GaAlN-InGaN Quantum Well Strukturen

该项目是一种基于c-Ⅲ-氮化物的分离约束异质结构激光谐振器。谐振器位于脊形几何结构中，可以韦尔登。镜子是用韦尔登做成的。激光结构的基础是GaN-Schichten，它们都是发光材料。这些韦尔登是通过AlGaN-Schichten形成的。在一个具有非线性In-Gehalt结构的InGaN-Schichten量子阱结构中发现了电子-器件的重新组合。研究结果表明，c-InGaN和c-AlGaN在均匀化条件下的分子辐射特性最小化，从而降低了在优化设计中的应力损耗。在GaAs（001）和c-SiC/Si混合结构的两种衬底上外延生长Schichtstrukturen。Schichten和Schichtstrukturen的光学和结构特征将与光致发光、光致发光、原子力显微镜等技术结合起来。在Zusammenarbeit与anderen Gruppen的合作中，研究人员发现，通过Spalten hergestellte Resonatorstrukturen sowie der Brechungsindex和das Reflexionsvermögen der Schichten aus Reflexionsmessungen and mit spektral aufgelöster Ellipsometrie bmt韦尔登，可以获得光学垂直度和光谱增强刺激发射。

Ziel der Projektarbeit ist die Herstellung eines Separate Confinement Heterostructure-Laserresonators aus c-III-Nitriden. Der Resonator soll in Ridge-Geometrie ausgeführt werden. Die Spiegelflächen sollen durch Spalten hergestellt werden. Basis der Laserstruktur sind GaN-Schichten, die als Lichtleiterschichten dienen. Diese werden begrenzt durch AlGaN-Schichten. Die Rekombination der Elektron-Lochpaare findet in einer Quantum Well-Struktur aus InGaN-Schichten mit unterschiedlichem In-Gehalt statt. Zur Erreichung des Forschungszieles wird die Molekularstrahlepitaxie von c-InGaN und c-AlGaN in Bezug auf die Homogenität, die Minimierung der Oberflächenrauhigkeit sowie die Reduktion der Dichte von ausgedehnten Defekten in den Schichten optimiert. Die Epitaxie der Schichtstrukturen wird auf 2 Substraten, GaAs(001) und c-SiC/Si-Hybridstrukturen durchgeführt. Die optischen und strukturellen Eigenschaften der Schichten und Schichtstrukturen wird mit Photolumineszenz, Kathodolumineszenz, Atomic Force-Mikroskopie sowie hochauflösender Röntengenbeugung untersucht. In Zusammenarbeit mit anderen Gruppen, die am Forschungsschwerpunkt beteiligt sind, soll darüber hinaus die optische Verstärkung und die spektral aufgelöste stimulierte Emission aus durch Spalten hergestellte Resonatorstrukturen sowie der Brechungsindex und das Reflexionsvermögen der Schichten aus Reflexionsmessungen und mit spektral aufgelöster Ellipsometrie bestimmt werden.