Räumliche Positionierung von verspannten InAs-Quantenpunkten mittels fokussiertionenimplantations-induzierter Wachstumskeime

GaAs上的InAs-Inseln自组织光学和电子特性研究是一项非常重要的研究，也是一个世界性的研究小组。一个巨大的Nachteil liegt在der statistischen Natur des Inselwachstums，d.h.实验者不能控制一个插入物的运动。Trotz einiger Versuche is bis jetzt noch gelungen，die Bildung von einzelnen Inseln hoher Kristallqualität zuverlässig an vorgegebenen Orten zu induzieren.在离子注入后形成的韦尔登柱中，通过InAs的注入和钨合金的注入，形成了一个完整的钨柱。离子交换也可以优化韦尔登参数。定位的量子点需要进行光学和电气的韦尔登，以便在组件中实现更高的集成。

Die optischen und elektronischen Eigenschaften von selbstorganisiert wachsenden InAs-Inseln auf GaAs sind ein hochaktuelles Forschungsgebiet, an dem weltweit zahlreiche Gruppen arbeiten. Ein großer Nachteil liegt in der statistischen Natur des Inselwachstums, d.h. der Experimentator hat keine Kontrolle über den Entstehungsort einer Insel. Trotz einiger Versuche ist es bis jetzt noch nicht gelungen, die Bildung von einzelnen Inseln hoher Kristallqualität zuverlässig an vorgegebenen Orten zu induzieren. In dem hier vorgeschlagenen Vorhaben sollen durch Ionenimplantation Wachstumskeime gelegt werden, was beim anschließenden Überwachsen mit InAs zu Inselbildung an den vorgegebenen Stellen führt. Es sollen sowohl die Ionendosis als auch die Wachstumsparameter optimiert werden. Die positionierten Quantenpunkte sollen anschließend optisch und elektrisch untersucht werden, um die Möglichkeit ihrer Integration in Bauelemente vorzubereiten.