Entwurf und Charakterisierung monolithisch integrierter Millimeterwellenemitter auf Silizium

Für Anwendungen in der mikrozellularen breitbandigen Millimeterwellenkommentation韦尔登breitbandig abstimbare，frequenzstabile rauscharme Millimeterwellenemitter im Frequenzbereich oberhalb 60 GHz und mit Ausgangsleistungen im Milliwattbereich benötigt.毫米波井的解决方案是在硅韦尔登上实现单片集成Schaltkreise。振动器和刨削器的功能是完整的。所有的有源元件都是一个注入二极管，所有的有源元件都是一个变容二极管。该项目包括三个技术项目，在技术、工艺和特性方面，需要集成单片毫米波器件的光电高频特性。

Für Anwendungen in der mikrozellularen breitbandigen Millimeterwellenkommunikation werden breitbandig abstimmbare, frequenzstabile rauscharme Millimeterwellenemitter im Frequenzbereich oberhalb 60 GHz und mit Ausgangsleistungen im Milliwattbereich benötigt. Die Millimeterwellenemitter sollen als monolithisch integrierte Schaltkreise auf Silizium realisiert werden. Die Funktionen von Oszillator und planarer Antenne sind integriert. Als aktives Bauelement wird eine Impatt-Diode und als Frequenzabstimmelement eine Varaktor-Diode verwendet. Das Projekt gliedert sich in drei Teilprojekte, im Rahmen derer die Technologie, der Entwurf und die Charakterisierung, sowie die optoelektronische Höchstfrequenzcharakterisierung der monolithisch integrierten Millimeterwellenemitter behandelt wird.