Unbesetzte elektronische Zustände von Halbleiteroberflächen

Die energetische Lage and Dispersion unbesetzter elektronischer Zustände von Grenzflächen ist von großer Bedeutung f<e:1> r elektronische Transportprozesse and Die photoindustrizierte Dynamik lubierter molek<e:1>。Insbesondere die Systeme mit großer bandl<e:1> cke erlauben eine detaillierte Untersuchung solcher Zustände，是在德国Vorhaben mittel公司的反光电子发射电池（reverse Photoemission durchgefhrt werden solcher）中销售的。Konkret werden die energetische Lage and Dispersion unbesetzter Zustände von sauber präparierten kubischen 3C-SiC(001) and hexonalen 4H-SiC(0001) mit verschiedenen Oberflächenrekonstruktionen bestum。desweteren sollen exydierte 4H-SiC(0001) Oberflächen untersucht werden, welche bei der production von mos strukturen von groit ßer wictigkeit sind。在实验中，我们发现了一种新的理论和方法，叫做“新理论和新方法”。

Die energetische Lage und Dispersion unbesetzter elektronischer Zustände von Grenzflächen ist von großer Bedeutung für elektronische Transportprozesse und die photoinduzierte Dynamik adsorbierter Moleküle. Insbesondere die Systeme mit großer Bandlücke erlauben eine detaillierte Untersuchung solcher Zustände, was in diesem Vorhaben mittels inverser Photoemission durchgeführt werden soll. Konkret werden die energetische Lage und Dispersion unbesetzter Zustände von sauber präparierten kubischen 3C-SiC(001) und hexagonalen 4H-SiC(0001) mit verschiedenen Oberflächenrekonstruktionen bestimmt. Desweiteren sollen exydierte 4H-SiC(0001) Oberflächen untersucht werden, welche bei der Produktion von MOS-Strukturen von großer Wichtigkeit sind. Die experimentellen Ergebnisse werden direkt mit neuen theoretischen ab initio Rechnungen verglichen.