Pressure and temperature dependent studies of the nitrogen-induced band formation and the band structure of (Ga, In)(N, As) semi-conductor structures by optical spectroscopy

DAS材料系统(Ga，In)(N，As)是Infrarotlasern für die Optische Telekomikikation of Optische Telekomikation中的新材料，也是Tandemsolarzellen auf III-V Basis für Anwendungen in der Raumfahrt的材料。(N，As)Kristallinen Schichten Geleistet，aber die dee Elektronische Band Structure ist noch sehr wachstum von(Ga，In)(N，As)Kristallinen Schichten Geleistet，aber die dee Elektronische Band Structure ist noch sehr wurde sehr sehr viel Forschungsarbeit zum Wachstum von(Ga，In)(N，As)kristallinen Schichten Geleistet，aber die de Elektronische Bandstructure ist noch sehr whr wachstum von(Ga，In)(N，As)kristallinen Schichten Geleistet，aber die dee e lektronische Band Structure ist no从根本上来说，这是一种最好的选择，也是最好的。Von Vorarbeiten am ternären Ga(N，As)is bekannt，daüdie Elektronische Bandbildung von der in amalgamartigen Mischristallen Stak abweicht，is auf den iselektronischen Störstellencharakter von N in GaAs zurück zuführen ist.在(Ga，In)(N，As)zu verstehen的Besonderheiten der elektronischen Bandbildung中，Zil des Projektes is es，die Besonderheiten der elektronischen Bandbildung in(Ga，In)(N，As)zu verstehen.在流体统计下，我们得到了一种新的晶格结构(Ga，In)(N，As)Schichten und(Ga，In)(N，As)/GaAs Quantschichtstructuren Under Tm Temperaturbereich von 2K bis 300K ddchgeführt.WEITERHIN Sollen die für die Anwendungen wichtigen参数zur tematur-und DruckabhänGigkeit der Bandlücke bstimt.

Das Materialsystem (Ga,In)(N,As) ist ein attraktives neues Material sowohl als aktives Material in Infrarotlasern für die optische Telekommunikation als auch als Schichtmaterial für Tri- und Tandemsolarzellen auf III-V Basis für Anwendungen in der Raumfahrt. Bisher wurde sehr viel Forschungsarbeit zum Wachstum von (Ga,In)(N,As) kristallinen Schichten geleistet, aber die elektronische Bandstruktur ist noch sehr wenig untersucht und verstanden. Solche Untersuchungen sind von fundamentaler Bedeutung, wenn man auf dem Materialsystem basierende Geräte für technische Anwendungen optimieren will. Von Vorarbeiten am ternären Ga(N,As) ist bekannt, daß die elektronische Bandbildung von der in amalgamartigen Mischkristallen stark abweicht, was auf den isoelektronischen Störstellencharakter von N in GaAs zurückzuführen ist. Ziel des Projektes ist es, die Besonderheiten der elektronischen Bandbildung in (Ga,In)(N,As) zu verstehen. Dazu sollen optische spektroskopische Untersuchungen an einkristallinen (Ga,In)(N,As) Schichten und (Ga,In)(N,As)/GaAs Quantenschichtstrukturen unter hydrostatischem Druck im Temperaturbereich von 2 K bis 300 K durchgeführt werden. Weiterhin sollen die für die Anwendungen wichtigen Parameter zur Temperatur- und Druckabhängigkeit der Bandlücke bestimmt werden.