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Magnetotransport in (Ga,In,Mn)As:MnAs paramagnetischen-ferromagnetischen Hybridstrukturen - Experiment und Theorie

Magnetotransport in (Ga,In,Mn)As:MnAs paramagnetischen-ferromagnetischen Hybridstrukturen - Experiment und Theorie
(Ga,In,Mn)As:MnAs 顺磁-铁磁混合结构中的磁输运 - 实验和理论
批准号:
5428075
负责人:
Professor Dr. Peter J. Klar
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2004
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2003-12-31 至 2009-12-31

项目摘要

项目成果

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Magnetowiderstandseffekte (MW-Effekte), die relative Änderung des elektrischen Widerstandes in einem angelegten externen Magnetfeld, sind aktuell von Interesse aufgrund möglicher Anwendungen in der Spintronik und der Magnetoelektronik. Auf dem MW-Effekt basierende Bauelemente werden schon eingesetzt als Leseköpfe in magnetischen Datenspeichern, als Spinventile in MRAMs sowie als Magnetsensoren in der Automobilindustrie. Die meisten dieser Bauelemente basieren heutzutage auf dem sogenannten Riesigen Magnetowiderstandseffekt (engl. giant magnetoresistance effect (GMR)) in metallischen Systemen. Materialsysteme, die eine auf Halbleitern basierende Spinelektronik ermöglichen, sind noch nicht gefunden. Ein vielversprechendes System, welches sich zur Spinpolarisation eignen sollte, sind paramagnetische Hableiter-Ferromagnet granulare Hybridsysteme. Bisher sind die mikroskopischen Transportmechanismen in diesen Paramagnet-Ferromagnet granularen Hybriden noch völlig ungeklärt. Ziel des Forschungsvorhabens ist es, am Modellsystem (Ga,In,Mn)As/MnAs (bestehend aus einer paramagnetischen (Ga,In,Mn)As Hableitermatrix mit ferromagnetischen MnAs Clustern) den Magnetotransport im Detail experimentell und theoretisch zu untersuchen und die mikroskopischen Transportmechanismen zu analysieren. Insbesondere soll auch die Korrelation zwischen den elektrischen Eigenschaften des Hybrids und seinen magnetischen Eigenschaften auf mesoskopischen Skalen aufgeklärt werden. Ein Verständnis dieser Prozesse wird zur Optimierung von MW-Bauelementen und Spinbauelementen auf Halbleiterbasis beitragen.
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会议论文
Effect of B and N isovalent impurities on the electronic transport of GaAs and GaP based alloys for silicon photonics and photovoltaics
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  • 批准号:
    5428765
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    Professor Dr. Peter J. Klar
  • 依托单位:
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  • 批准号:
    5243462
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2000
  • 负责人:
    Professor Dr. Peter J. Klar
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
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  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
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  • 批准年份:
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    --
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    61万元
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    2021
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  • 批准号:
    52071071
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    58.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    杨波
  • 依托单位:
Ni-Mn-Ga合金非调制马氏体界面结构与变形机制研究
  • 批准号:
    52001156
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    欧阳晟
  • 依托单位: