Ionenstrahlsynthese dotierter Diamant-Siliziumkarbid-Heterostrukturen

钻石和硅的加尔比德(原文如此)和盐土材料的MIT groéem Anwendungpotential für Elektronik and Sensorik在极端的贝丁贡根。在此基础上，我们将把所有的材料结合在一起，使之成为一种新的材料。这是一种新的技术和技术方法，可在未来的几年内完成。它是：(I)钻石中的钻石。(Ii)钻石中的钻石。在ABHänGigkeit von Konzentation and Prozess参数n Studdiert中，不稳定的系统SI1-XCX(x gröbie er ALS 0.5)SI1-XCX是错误的。Si1-XCX-Bereiche是在碳化硅衬底上植入的。他说：“这是一件非常重要的事情。”

Diamant und Siliziumkarbid (SiC) sind Halbleitermaterialien mit großem Anwendungspotential für Elektronik und Sensorik unter extremen Bedingungen. Durch die Kombination beider Materialien könnten bestehende Schwierigkeiten bei ihrer Dotierung umgangen und die spezifischen Eigenschaften dieser Halbleiter besser genutzt werden. Die Methode der Ionenstrahlsynthese (IS) bietet die Möglichkeit einer Kombination und Modifizierung dieser Materialien in mikroskopischen Bereichen. Erstmalig konnte der Nachweis erbracht werden, daß die IS (i) von epitaktischen Diamant in SiC bzw. (ii) von SiC in Diamant möglich ist. Die Umwandlung und Struktur des durch IS erzeugten instabilen Systems Si1-xCx (x größer als 0.5) soll in Abhängigkeit von Konzentration und Prozessparametern studiert werden. Die Si1-xCx-Bereiche werden dabei in einkristallinen Diamant- oder SiC-Substraten durch Implantation von Si- oder C-Ionen erzeugt. Darüber hinaus sollen die erzeugten Phasen dotiert und ihre elektrische Charakteristik ermittelt werden.